Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STB10N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STB10N60M2

STB10N60M2

STB10N60M2
;
STB10N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STB10N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STB10N60M2 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB10N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB10N60M2

STB10N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при VGS = 0В (RDS(on)): 140мΩ
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое значение RDS(on) обеспечивает эффективное управление током
    • Устойчивость к износу и перегрузкам
    • Минимальное тепловыделение благодаря эффективной теплоотдаче
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у некоторых других типов транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Управление током в источниках питания
    • Блоки преобразования напряжения
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Мобильные зарядные устройства
    • Источники питания для компьютеров и периферийного оборудования
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики STB10N60M2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB10

Техническая документация

 STB10N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 203 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    454 ₽
  • 10
    292 ₽
  • 100
    199 ₽
  • 500
    160 ₽
  • 2000
    136 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STB10N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STB10N60M2 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB10N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB10N60M2

STB10N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при VGS = 0В (RDS(on)): 140мΩ
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое значение RDS(on) обеспечивает эффективное управление током
    • Устойчивость к износу и перегрузкам
    • Минимальное тепловыделение благодаря эффективной теплоотдаче
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у некоторых других типов транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Управление током в источниках питания
    • Блоки преобразования напряжения
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Мобильные зарядные устройства
    • Источники питания для компьютеров и периферийного оборудования
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики STB10N60M2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB10

Техническая документация

 STB10N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF9620STRLPBFMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
    487Кешбэк 73 балла
    SIR872DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
    665Кешбэк 99 баллов
    SIR818DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    157Кешбэк 23 балла
    IRF820STRRPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    484Кешбэк 72 балла
    SI4842BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    519Кешбэк 77 баллов
    SI7326DN-T1-E3MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
    271Кешбэк 40 баллов
    IRFBE20PBFMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
    187Кешбэк 28 баллов
    SI3440DV-T1-E3MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
    387Кешбэк 58 баллов
    SI4136DY-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
    241Кешбэк 36 баллов
    SQJ463EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
    713Кешбэк 106 баллов
    SIHH11N60EF-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
    917Кешбэк 137 баллов
    IRFR9024PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    IRFBF30STRLPBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
    848Кешбэк 127 баллов
    SIHG22N60E-E3MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
    984Кешбэк 147 баллов
    IRF640STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
    359Кешбэк 53 балла
    IRFB9N60APBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
    388Кешбэк 58 баллов
    SQD50N06-09L_GE3MOSFET N-CH 60V 50A TO252
    782Кешбэк 117 баллов
    SI4894BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
    241Кешбэк 36 баллов
    IRF9520STRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    541Кешбэк 81 балл
    SIHP12N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    648Кешбэк 97 баллов
    SI7317DN-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
    319Кешбэк 47 баллов
    SQD50P04-13L_GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    717Кешбэк 107 баллов
    SIHP7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
    224Кешбэк 33 балла
    SUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    754Кешбэк 113 баллов
    SI7174DP-T1-GE3MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
    775Кешбэк 116 баллов
    SI2316BDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
    177Кешбэк 26 баллов
    IRLR014PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    218Кешбэк 32 балла
    IRFS11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
    564Кешбэк 84 балла
    SQD15N06-42L_GE3MOSFET N-CH 60V 15A TO252
    291Кешбэк 43 балла
    IRF640STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
    456Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП