Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STB34NM60N

STB34NM60N

STB34NM60N
;
STB34NM60N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STB34NM60N при покупке от 1000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB34NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB34NM60N

STB34NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600В 29А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 29А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение
    • Экономичность в энергопотреблении
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Относительно высокая стоимость по сравнению с IGBT
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах для управления электродвигателями
    • В системах управления нагрузками в автомобилях
    • Трансформаторных преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники бесперебойного питания
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Электронные устройства с регулируемым напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики STB34NM60N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    84 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2722 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB34

Техническая документация

STB34NM60N.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 1000 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STB34NM60N при покупке от 1000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB34NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB34NM60N

STB34NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600В 29А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 29А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение
    • Экономичность в энергопотреблении
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Относительно высокая стоимость по сравнению с IGBT
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах для управления электродвигателями
    • В системах управления нагрузками в автомобилях
    • Трансформаторных преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники бесперебойного питания
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Электронные устройства с регулируемым напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики STB34NM60N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 14.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    84 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2722 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB34

Техническая документация

STB34NM60N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 1000 шт