Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STD15N60DM6

STD15N60DM6

STD15N60DM6
;
STD15N60DM6

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STD15N60DM6 при покупке от 1 шт 456.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STD15N60DM6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STD15N60DM6

STD15N60DM6 STMicroelectronics MOSFET N-Ч

  • Напряжение стабилизации (VGS(th)): 4 V
  • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCE(max)): 600 В
  • Максимальный ток Collector (IC(max)): 12 А
  • Тип корпуса: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый динамический ток тока транзистора (RD(on))
  • Компактный размер корпуса DPAK для эффективного охлаждения

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перетока
  • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • В трансформаторах
  • Для управления электрическими нагрузками
  • В системах управления двигателей

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленных установках
  • Системах энергоснабжения
  • Электронных устройствах потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики STD15N60DM6

Техническая документация

STD15N60DM6.pdf
pdf. 0 kb
  • 53 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    456 ₽
  • 10
    338 ₽
  • 100
    241 ₽
  • 500
    199 ₽
  • 2500
    163 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STD15N60DM6 при покупке от 1 шт 456.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STD15N60DM6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STD15N60DM6

STD15N60DM6 STMicroelectronics MOSFET N-Ч

  • Напряжение стабилизации (VGS(th)): 4 V
  • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCE(max)): 600 В
  • Максимальный ток Collector (IC(max)): 12 А
  • Тип корпуса: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый динамический ток тока транзистора (RD(on))
  • Компактный размер корпуса DPAK для эффективного охлаждения

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перетока
  • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • В трансформаторах
  • Для управления электрическими нагрузками
  • В системах управления двигателей

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленных установках
  • Системах энергоснабжения
  • Электронных устройствах потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики STD15N60DM6

Техническая документация

STD15N60DM6.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории