Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STF11NM50N
  • В избранное
  • В сравнение
STF11NM50N

STF11NM50N

STF11NM50N
;
STF11NM50N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STF11NM50N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF11NM50N при покупке от 1 шт 832.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF11NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF11NM50N

STF11NM50N STMICROELECTRONICS MOSFET N-Ч 500В 8,5А TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 8,5А
    • Пакет: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDS(on))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока
    • Изменение частоты
    • Уменьшение пульсаций тока и напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Устройства преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики STF11NM50N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    470mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    547 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF11

Техническая документация

 STF11NM50N.pdf
pdf. 0 kb
  • 46 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    832 ₽
  • 10
    334 ₽
  • 100
    314 ₽
  • 500
    303 ₽
  • 1000
    286 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STF11NM50N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF11NM50N при покупке от 1 шт 832.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF11NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF11NM50N

STF11NM50N STMICROELECTRONICS MOSFET N-Ч 500В 8,5А TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 8,5А
    • Пакет: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDS(on))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока
    • Изменение частоты
    • Уменьшение пульсаций тока и напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Устройства преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики STF11NM50N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    470mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    547 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF11

Техническая документация

 STF11NM50N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STF11NM50NMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
    832Кешбэк 124 балла
    STP20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
    711Кешбэк 106 баллов
    STP20N95K5MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
    908Кешбэк 136 баллов
    STF40N60M2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
    1 044Кешбэк 156 баллов
    STP15N95K5MOSFET N-CH 950V 12A TO220
    852Кешбэк 127 баллов
    STP12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
    1 504Кешбэк 225 баллов
    STP3NK80ZMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
    393Кешбэк 58 баллов
    STF42N65M5MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP
    1 124Кешбэк 168 баллов
    STW11NM80MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
    1 000Кешбэк 150 баллов
    STW75NF20MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
    835Кешбэк 125 баллов
    STF45N10F7MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
    550Кешбэк 82 балла
    STP315N10F7MOSFET N-CH 100V 180A TO220
    883Кешбэк 132 балла
    STF12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
    2 020Кешбэк 303 балла
    STD7LN80K5MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
    455Кешбэк 68 баллов
    STP40NF10LТранзистор: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
    440Кешбэк 66 баллов
    STP30NF20MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
    462Кешбэк 69 баллов
    STF21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
    859Кешбэк 128 баллов
    STP28N60DM2MOSFET N-CH 600V 21A TO220
    782Кешбэк 117 баллов
    STF13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
    766Кешбэк 114 баллов
    STP11NM60NDMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    674Кешбэк 101 балл
    STP57N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
    1 775Кешбэк 266 баллов
    STW4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
    958Кешбэк 143 балла
    STF10N65K3Транзистор: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
    272Кешбэк 40 баллов
    STF16N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
    550Кешбэк 82 балла
    STF15N80K5MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
    764Кешбэк 114 баллов
    STL110NS3LLH7
    89Кешбэк 13 баллов
    STP24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220
    625Кешбэк 93 балла
    STP12N50M2MOSFET N-CH 500V 10A TO220
    386Кешбэк 57 баллов
    STW20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 237Кешбэк 185 баллов
    STW28NM50NТранзистор: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
    1 548Кешбэк 232 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП