Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STF13NM60N
  • В избранное
  • В сравнение
STF13NM60N

STF13NM60N

STF13NM60N
;
STF13NM60N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STF13NM60N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF13NM60N при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF13NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF13NM60N

STF13NM60N – это N-канальный MOSFET от STMicroelectronics, предназначенный для работы с напряжением до 600 В и током до 11 А. Корпус – TO220FP.

  • Основные параметры:
    • Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
    • Максимальный ток стока (Id): 11 А
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.8 Ом (при Vgs=10В, Id=5.5А)
    • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 3 В
    • Мощность рассеяния (Pd): 150 Вт
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя
    • Низкое сопротивление открытого канала для данного класса напряжения
    • Подходит для широкого диапазона применений
    • Улучшенный корпус TO220FP для лучшего теплоотвода
  • Минусы:
    • Относительно высокое Rds(on) по сравнению с более дорогими MOSFET
    • Может требоваться драйвер затвора для быстрого переключения
  • Общее назначение:
    • Импульсные и линейные блоки питания
    • Инверторы
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
    • Схемы управления двигателями
    • Различные схемы с переключением больших токов и напряжений
  • Применяется в:
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы освещения

Выбрано: Показать

Характеристики STF13NM60N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF13

Техническая документация

 STF13NM60N.pdf
pdf. 0 kb
  • 278 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    308 ₽
  • 250
    283 ₽
  • 500
    267 ₽
  • 1000
    239 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STF13NM60N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF13NM60N при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF13NM60N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF13NM60N

STF13NM60N – это N-канальный MOSFET от STMicroelectronics, предназначенный для работы с напряжением до 600 В и током до 11 А. Корпус – TO220FP.

  • Основные параметры:
    • Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
    • Максимальный ток стока (Id): 11 А
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.8 Ом (при Vgs=10В, Id=5.5А)
    • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 3 В
    • Мощность рассеяния (Pd): 150 Вт
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя
    • Низкое сопротивление открытого канала для данного класса напряжения
    • Подходит для широкого диапазона применений
    • Улучшенный корпус TO220FP для лучшего теплоотвода
  • Минусы:
    • Относительно высокое Rds(on) по сравнению с более дорогими MOSFET
    • Может требоваться драйвер затвора для быстрого переключения
  • Общее назначение:
    • Импульсные и линейные блоки питания
    • Инверторы
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
    • Схемы управления двигателями
    • Различные схемы с переключением больших токов и напряжений
  • Применяется в:
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы освещения

Выбрано: Показать

Характеристики STF13NM60N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    790 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF13

Техническая документация

 STF13NM60N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PSMN019-100YLXMOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
    325Кешбэк 48 баллов
    CSD17579Q3ATMOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
    197Кешбэк 29 баллов
    PMN25UN,115MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
    20.4Кешбэк 3 балла
    IRLHM620TRPBFMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
    247Кешбэк 37 баллов
    BUK7611-55B,118
    331Кешбэк 49 баллов
    DMN4026SK3-13MOSFET N-CH 40V 28A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    FDD4141MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
    186Кешбэк 27 баллов
    NTD70N03R-001Транзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
    39Кешбэк 5 баллов
    SPD02N80C3ATMA1MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
    156Кешбэк 23 балла
    IRF8327STRPBFMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    175Кешбэк 26 баллов
    IRF6646TRPBFMOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
    461Кешбэк 69 баллов
    IPD50N03S2L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
    442Кешбэк 66 баллов
    IRFH7936TRPBFIRFH7936 - N-CHANNEL
    99Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4825NFET1GMOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
    364Кешбэк 54 балла
    PSMN3R5-30YL,115Транзистор: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    214Кешбэк 32 балла
    FDB2570MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
    275Кешбэк 41 балл
    FDMC86259PMOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
    623Кешбэк 93 балла
    FCP400N80ZMOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
    660Кешбэк 99 баллов
    FDMC8010ET30MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
    191Кешбэк 28 баллов
    PSMN7R0-30MLC,115MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
    175Кешбэк 26 баллов
    HUFA75345P3MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7135DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    DMT6009LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
    182Кешбэк 27 баллов
    FDMS5672MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
    708Кешбэк 106 баллов
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    115Кешбэк 17 баллов
    SI3474DV-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
    100Кешбэк 15 баллов
    MVMBF0201NLT1GMOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
    134Кешбэк 20 баллов
    PSMN2R8-25MLC,115MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
    316Кешбэк 47 баллов
    NTMFS4936NCT1G11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE
    48Кешбэк 7 баллов
    NVMFS5C450NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    143Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП