Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
STFU6N65
  • В избранное
  • В сравнение
STFU6N65

STFU6N65

STFU6N65
;
STFU6N65

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFU6N65
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 4A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STFU6N65 при покупке от 1 шт 359.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFU6N65 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFU6N65

STFU6N65 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 650В 4А TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 650В
    • Максимальный ток: 4А
    • Пакет: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Удобство установки благодаря стандартному пакету TO220
    • Низкое сопротивление ввода
    • Быстрое время переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для применения в высокочастотных режимах из-за акустического резонанса
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных устройствах бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STFU6N65

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    620mW (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STFU6
  • 981 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    359 ₽
  • 10
    231 ₽
  • 100
    157 ₽
  • 500
    126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFU6N65
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 4A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STFU6N65 при покупке от 1 шт 359.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFU6N65 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFU6N65

STFU6N65 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 650В 4А TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение: 650В
    • Максимальный ток: 4А
    • Пакет: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Удобство установки благодаря стандартному пакету TO220
    • Низкое сопротивление ввода
    • Быстрое время переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для применения в высокочастотных режимах из-за акустического резонанса
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных устройствах бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STFU6N65

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    620mW (Ta), 77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STFU6

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП