Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
STFU9N65M2
  • В избранное
  • В сравнение
STFU9N65M2

STFU9N65M2

STFU9N65M2
;
STFU9N65M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFU9N65M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 5A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STFU9N65M2 при покупке от 1 шт 439.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFU9N65M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFU9N65M2

STFU9N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650В
    • Номинальный ток (ID): 5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Скорость переключения
    • Малый тепловой сопротивление
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за высокого тепловыделения при нагрузках
    • Уязвимость к электрическому удару
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Компенсация тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STFU9N65M2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    315 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    20W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STFU9

Техническая документация

 STFU9N65M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 881 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    439 ₽
  • 10
    282 ₽
  • 100
    193 ₽
  • 500
    159 ₽
  • 2000
    130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFU9N65M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 5A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STFU9N65M2 при покупке от 1 шт 439.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFU9N65M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFU9N65M2

STFU9N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650В
    • Номинальный ток (ID): 5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Скорость переключения
    • Малый тепловой сопротивление
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за высокого тепловыделения при нагрузках
    • Уязвимость к электрическому удару
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Компенсация тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STFU9N65M2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    315 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    20W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STFU9

Техническая документация

 STFU9N65M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    874Кешбэк 131 балл
    IRF60SC241ARMA1MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
    896Кешбэк 134 балла
    IPT030N12N3GATMA1TRENCH >=100V
    929Кешбэк 139 баллов
    IPB60R070CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2
    942Кешбэк 141 балл
    IPB020NE7N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    955Кешбэк 143 балла
    IPP60R099C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
    964Кешбэк 144 балла
    IPB50R140CPATMA1MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
    966Кешбэк 144 балла
    IPI076N15N5AKSA1MV POWER MOS
    988Кешбэк 148 баллов
    SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
    1 010Кешбэк 151 балл
    IPTG007N06NM5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
    1 149Кешбэк 172 балла
    IPW65R090CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    1 211Кешбэк 181 балл
    AUIRFS4127TRLMOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
    1 235Кешбэк 185 баллов
    IPB156N22NFDATMA1MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
    1 336Кешбэк 200 баллов
    IPTG111N20NM3FDATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8
    1 490Кешбэк 223 балла
    IPW60R055CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
    1 539Кешбэк 230 баллов
    IPW65R050CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
    1 550Кешбэк 232 балла
    IPBE65R050CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
    1 578Кешбэк 236 баллов
    IPW60R075CPFKSA1MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
    1 616Кешбэк 242 балла
    IPW65R070C6FKSA1MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
    1 690Кешбэк 253 балла
    IPW65R080CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
    1 759Кешбэк 263 балла
    IPZA60R037P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
    2 126Кешбэк 318 баллов
    RK7002BMHZGT116MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
    43Кешбэк 6 баллов
    RTQ035N03HZGTRMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
    55Кешбэк 8 баллов
    RQ5H025TNTLMOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
    125Кешбэк 18 баллов
    RQ5A020ZPTLMOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
    130Кешбэк 19 баллов
    RF4L040ATTCRДиод: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
    144Кешбэк 21 балл
    R6004JNJGTLMOSFET N-CH 600V 4A LPTS
    160Кешбэк 24 балла
    R6504KNJTLMOSFET N-CH 650V 4A LPTS
    168Кешбэк 25 баллов
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    184Кешбэк 27 баллов
    R6006JNJGTLMOSFET N-CH 600V 6A LPTS
    185Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП