Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
STGB19NC60KDT4
  • В избранное
  • В сравнение
STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4
;
STGB19NC60KDT4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGB19NC60KDT4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 35A 125W D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STGB19NC60KDT4 при покупке от 1 шт 1126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGB19NC60KDT4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics — IGBT транзистор

  • Напряжение стабильной обратной связи: 600 В
  • Ток непрерывного тока: 35 А
  • Уставка мощности: 125 ВА
  • Форм-фактор: D2PAK

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота управления
  • Компактный размер

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования охлаждения для длительной эксплуатации

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты
  • В приводах электродвигателей
  • В источниках питания
  • В системах управления электрическими машинами
Выбрано: Показать

Характеристики STGB19NC60KDT4

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.75V @ 15V, 12A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Энергия переключения
    165µJ (on), 255µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    55 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Base Product Number
    STGB19

Техническая документация

 STGB19NC60KDT4.pdf
pdf. 0 kb
  • 467 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 126 ₽
  • 10
    802 ₽
  • 100
    584 ₽
  • 1000
    474 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGB19NC60KDT4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 35A 125W D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STGB19NC60KDT4 при покупке от 1 шт 1126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGB19NC60KDT4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics — IGBT транзистор

  • Напряжение стабильной обратной связи: 600 В
  • Ток непрерывного тока: 35 А
  • Уставка мощности: 125 ВА
  • Форм-фактор: D2PAK

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота управления
  • Компактный размер

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования охлаждения для длительной эксплуатации

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты
  • В приводах электродвигателей
  • В источниках питания
  • В системах управления электрическими машинами
Выбрано: Показать

Характеристики STGB19NC60KDT4

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.75V @ 15V, 12A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Энергия переключения
    165µJ (on), 255µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    55 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Base Product Number
    STGB19

Техническая документация

 STGB19NC60KDT4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXXR110N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
    3 967Кешбэк 595 баллов
    IXBF20N360Транзистор: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
    13 228Кешбэк 1 984 балла
    IXGH48N60B3D1Транзистор: IGBT 600V 300W TO247
    1 393Кешбэк 208 баллов
    IXXH60N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 116A 380W TO247AD
    2 451Кешбэк 367 баллов
    NGB8206ANSL3GТранзистор: IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
    422Кешбэк 63 балла
    IXYP30N120C3Транзистор: IGBT 1200V 75A 500W TO220
    1 362Кешбэк 204 балла
    IXGH10N170AТранзистор: IGBT 1700V 10A 140W TO247
    1 786Кешбэк 267 баллов
    IXYX100N120C3Транзистор: IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
    5 575Кешбэк 836 баллов
    IXBX55N300Транзистор: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
    20 905Кешбэк 3 135 баллов
    IXGT6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO268
    2 977Кешбэк 446 баллов
    IXGK400N30A3Транзистор: IGBT 300V 400A 1000W TO264AA
    7 535Кешбэк 1 130 баллов
    IXXX110N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 240A 880W PLUS247
    3 954Кешбэк 593 балла
    IXYH30N120C3Транзистор: IGBT 1200V 75A 500W TO247
    1 549Кешбэк 232 балла
    IXYB82N120C3H1Транзистор: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
    4 976Кешбэк 746 баллов
    IXYP20N120C3Транзистор: IGBT 1200V 40A 278W TO-220
    1 145Кешбэк 171 балл
    IXBT12N300HVТранзистор: IGBT 3000V 30A 160W TO268
    8 587Кешбэк 1 288 баллов
    IXBH10N170Транзистор: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
    1 938Кешбэк 290 баллов
    IXGR48N60C3D1Транзистор: IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
    3 338Кешбэк 500 баллов
    IXBH42N170AТранзистор: IGBT 1700V 42A 357W TO247
    6 922Кешбэк 1 038 баллов
    IXGH32N120A3Транзистор: IGBT 1200V 75A 300W TO247
    2 123Кешбэк 318 баллов
    IXGA30N120B3Транзистор: IGBT 1200V 60A 300W TO263
    2 027Кешбэк 304 балла
    IXXK160N65B4Транзистор: IGBT 650V 310A 940W TO264
    3 965Кешбэк 594 балла
    IXYH75N65C3H1Транзистор: IGBT 650V 170A 750W TO247
    3 183Кешбэк 477 баллов
    IXYH40N120C3D1Транзистор: IGBT 1200V 64A 480W TO247
    2 401Кешбэк 360 баллов
    IXEL40N400Транзистор: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5
    22 163Кешбэк 3 324 балла
    IXYX120N120C3Транзистор: IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
    6 855Кешбэк 1 028 баллов
    IXYH100N65C3Транзистор: IGBT 650V 200A 830W TO247
    2 110Кешбэк 316 баллов
    IXYK120N120C3Транзистор: IGBT 1200V 240A 1500W TO264
    6 436Кешбэк 965 баллов
    IXGH72N60A3Транзистор: IGBT 600V 75A 540W TO247
    2 010Кешбэк 301 балл
    IXBH20N300Транзистор: IGBT 3000V 50A 250W TO247
    13 460Кешбэк 2 019 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП