Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGB20H60DF

STGB20H60DF

STGB20H60DF
;
STGB20H60DF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGB20H60DF при покупке от 1 шт 517.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGB20H60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGB20H60DF

STGB20H60DF — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки Uceo: 600 В
  • Номинальный ток нагрузки Icm: 40 А
  • Удельная мощность Ptot: 167 ВА
  • Форм-фактор корпуса: D2PAK

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Малый размер и легкость корпуса D2PAK
  • Долгий срок службы из-за надежного дизайна
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительной проектировки системы охлаждения

Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокую степень эффективности и надежности.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Инверторах для систем солнечной энергии
  • Электротранспорте
  • Питательных системах для электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики STGB20H60DF

Техническая документация

STGB20H60DF.pdf
pdf. 0 kb
  • 732 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    517 ₽
  • 1000
    167 ₽
  • 2000
    149 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGB20H60DF при покупке от 1 шт 517.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGB20H60DF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGB20H60DF

STGB20H60DF — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки Uceo: 600 В
  • Номинальный ток нагрузки Icm: 40 А
  • Удельная мощность Ptot: 167 ВА
  • Форм-фактор корпуса: D2PAK

Плюсы:

  • Высокая эффективность работы
  • Малый размер и легкость корпуса D2PAK
  • Долгий срок службы из-за надежного дизайна
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительной проектировки системы охлаждения

Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокую степень эффективности и надежности.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Инверторах для систем солнечной энергии
  • Электротранспорте
  • Питательных системах для электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики STGB20H60DF

Техническая документация

STGB20H60DF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории