Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
STGP19NC60KD
  • В избранное
  • В сравнение
STGP19NC60KD

STGP19NC60KD

STGP19NC60KD
;
STGP19NC60KD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGP19NC60KD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 35A 125W TO220Все характеристики

Минимальная цена STGP19NC60KD при покупке от 1 шт 595.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGP19NC60KD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGP19NC60KD

STGP19NC60KD — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (UDSS): 600 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 35 А
  • Полезная мощность (Ptot): 125 Вт
  • Форм-фактор корпуса: TO220

Основные плюсы:

  • Высокая эффективность при работе на средних и больших мощностях.
  • Малые потери при переключении.
  • Высокая надежность и долговечность.

Основные минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках.
  • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET.
  • Большой размер корпуса.

Общее назначение: Используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях, требующих высокую мощность и эффективность.

Применяется в:

  • Автомобильных системах (например, в системах зарядки батарей).
  • Электропитании и преобразовании энергии.
  • Промышленном оборудовании.
  • Инверторах для систем солнечной энергии.
  • Электродвигателях и системах привода.
Выбрано: Показать

Характеристики STGP19NC60KD

  • Package
    Tube
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.75V @ 15V, 12A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Энергия переключения
    165µJ (on), 255µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    55 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    STGP19

Техническая документация

 STGP19NC60KD.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    595 ₽
  • 50
    297 ₽
  • 100
    268 ₽
  • 500
    218 ₽
  • 1000
    202 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGP19NC60KD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 35A 125W TO220Все характеристики

Минимальная цена STGP19NC60KD при покупке от 1 шт 595.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGP19NC60KD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGP19NC60KD

STGP19NC60KD — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (UDSS): 600 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 35 А
  • Полезная мощность (Ptot): 125 Вт
  • Форм-фактор корпуса: TO220

Основные плюсы:

  • Высокая эффективность при работе на средних и больших мощностях.
  • Малые потери при переключении.
  • Высокая надежность и долговечность.

Основные минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках.
  • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET.
  • Большой размер корпуса.

Общее назначение: Используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях, требующих высокую мощность и эффективность.

Применяется в:

  • Автомобильных системах (например, в системах зарядки батарей).
  • Электропитании и преобразовании энергии.
  • Промышленном оборудовании.
  • Инверторах для систем солнечной энергии.
  • Электродвигателях и системах привода.
Выбрано: Показать

Характеристики STGP19NC60KD

  • Package
    Tube
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    35 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    75 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.75V @ 15V, 12A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Энергия переключения
    165µJ (on), 255µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    55 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 12A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    31 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    STGP19

Техническая документация

 STGP19NC60KD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    813Кешбэк 121 балл
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    815Кешбэк 122 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    823Кешбэк 123 балла
    STGP19NC60SТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    832Кешбэк 124 балла
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    835Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    837Кешбэк 125 баллов
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    856Кешбэк 128 баллов
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    858Кешбэк 128 баллов
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    871Кешбэк 130 баллов
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    882Кешбэк 132 балла
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    884Кешбэк 132 балла
    STGW60V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    891Кешбэк 133 балла
    STGW60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO-247
    930Кешбэк 139 баллов
    STGWF30NC60SТранзистор: IGBT 600V 35A 79W TO3P
    936Кешбэк 140 баллов
    STGWT40H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
    938Кешбэк 140 баллов
    STGW40NC60KDТранзистор: IGBT 600V 70A 250W TO247
    947Кешбэк 142 балла
    STGWA15M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 30A 259W
    954Кешбэк 143 балла
    STGWA25M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 50A 375W TO247
    971Кешбэк 145 баллов
    STGW60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO-247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 004Кешбэк 150 баллов
    STGP19NC60HТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGWT80V60FТранзистор: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGW30NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 60A 220W TO247
    1 034Кешбэк 155 баллов
    STGW30NC60KDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 056Кешбэк 158 баллов
    STGWA40H120DF2Транзистор: TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
    1 073Кешбэк 160 баллов
    STGWT80H65FBТранзистор: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    1 088Кешбэк 163 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП