Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
STGW100H65FB2-4
  • В избранное
  • В сравнение
STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4
;
STGW100H65FB2-4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGW100H65FB2-4
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1Все характеристики

Минимальная цена STGW100H65FB2-4 при покупке от 1 шт 1285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW100H65FB2-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW100H65FB2-4

Транзистор STGW100H65FB2-4 от STMICROELECTRONICS

  • Тип: TRENCH GATE FIELD-STOP
  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Размер тока: 100 А (максимальный)

Основные параметры:

  • Эффективность: Высокая эффективность работы благодаря технологии тrench-gate.
  • Минимальные потери: Минимизация энергетических потерь при работе.
  • Стабильность: Высокая стабильность характеристик при различных условиях.

Плюсы:

  • Энергоэффективность: Уменьшение энергетических потерь.
  • Высокая мощность: Возможность работы с высокими токами и напряжениями.
  • Устойчивость: Устойчивость к перегреву и другим внешним воздействиям.

Минусы:

  • Сложность проектирования: Требует точного проектирования для достижения максимальной эффективности.
  • Цена: Может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов из-за использования передовых технологий.

Общее назначение:

  • Используется в силовых электронных устройствах.
  • Подходит для систем управления двигателем.
  • Используется в источниках питания.
  • Может применяться в системах защиты от перенапряжений.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Источники питания для бытовой техники и компьютеров.
  • Системы управления промышленным оборудованием.
  • Переносные зарядные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики STGW100H65FB2-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    145 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 100A
  • Рассеивание мощности
    441 W
  • Энергия переключения
    1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    288 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    23ns/141ns
  • Условие испытаний
    400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW100
  • 29 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 285 ₽
  • 5
    1 110 ₽
  • 10
    934 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STGW100H65FB2-4
  • Описание:
    Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1Все характеристики

Минимальная цена STGW100H65FB2-4 при покупке от 1 шт 1285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW100H65FB2-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW100H65FB2-4

Транзистор STGW100H65FB2-4 от STMICROELECTRONICS

  • Тип: TRENCH GATE FIELD-STOP
  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Размер тока: 100 А (максимальный)

Основные параметры:

  • Эффективность: Высокая эффективность работы благодаря технологии тrench-gate.
  • Минимальные потери: Минимизация энергетических потерь при работе.
  • Стабильность: Высокая стабильность характеристик при различных условиях.

Плюсы:

  • Энергоэффективность: Уменьшение энергетических потерь.
  • Высокая мощность: Возможность работы с высокими токами и напряжениями.
  • Устойчивость: Устойчивость к перегреву и другим внешним воздействиям.

Минусы:

  • Сложность проектирования: Требует точного проектирования для достижения максимальной эффективности.
  • Цена: Может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов из-за использования передовых технологий.

Общее назначение:

  • Используется в силовых электронных устройствах.
  • Подходит для систем управления двигателем.
  • Используется в источниках питания.
  • Может применяться в системах защиты от перенапряжений.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Источники питания для бытовой техники и компьютеров.
  • Системы управления промышленным оборудованием.
  • Переносные зарядные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики STGW100H65FB2-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    145 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 100A
  • Рассеивание мощности
    441 W
  • Энергия переключения
    1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    288 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    23ns/141ns
  • Условие испытаний
    400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW100

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKA15N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP
    633Кешбэк 94 балла
    AIGB15N65F5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    677Кешбэк 101 балл
    AIGW40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    IKZA75N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    945Кешбэк 141 балл
    IGW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    984Кешбэк 147 баллов
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    1 042Кешбэк 156 баллов
    AIGW50N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    1 118Кешбэк 167 баллов
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 138Кешбэк 170 баллов
    IKW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    1 244Кешбэк 186 баллов
    IKZA50N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 879Кешбэк 281 балл
    AIKW75N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 921Кешбэк 288 баллов
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    RGSX5TS65EGC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    870Кешбэк 130 баллов
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    RGS30TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 053Кешбэк 157 баллов
    RGWX5TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 222Кешбэк 183 балла
    RGS50TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 266Кешбэк 189 баллов
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 277Кешбэк 191 балл
    RGW00TS65HRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 281Кешбэк 192 балла
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 549Кешбэк 232 балла
    RGSX5TS65HRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 556Кешбэк 233 балла
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 756Кешбэк 263 балла
    RGSX5TS65DHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 824Кешбэк 273 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП