Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
STGW60H65DFB-4
  • В избранное
  • В сравнение
STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4
;
STGW60H65DFB-4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW60H65DFB-4
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGW60H65DFB-4 при покупке от 1 шт 1382.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW60H65DFB-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW60H65DFB-4

Транзистор IGBT STGW60H65DFB-4 от компании STMicroelectronics:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение collector-emitter (VCEO): 650 В
    • Максимальная токовая способность collector (ICM): 60 А
    • Максимальная частота работы (fT): 12 кГц
    • Предел скорости переключения (tRon): 15 нс
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме включенного состояния
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии (RON)
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Долгий срок службы из-за минимального теплового стресса
  • Минусы:
    • Высокие потери при переходе между состояниями (tRon)
    • Высокие требования к системам охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в выборе оптимальных параметров для работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Приведение мощности в различных приборах
    • Контроль тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленного оборудования
    • Электрооборудовании бытовых приборов
    • Системах энергосбережения и управления потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики STGW60H65DFB-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    240 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    346µJ (on), 1.161mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    306 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    65ns/261ns
  • Условие испытаний
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    60 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW60

Техническая документация

 STGW60H65DFB-4.pdf
pdf. 0 kb
  • 596 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 382 ₽
  • 10
    936 ₽
  • 100
    684 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGW60H65DFB-4
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена STGW60H65DFB-4 при покупке от 1 шт 1382.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW60H65DFB-4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW60H65DFB-4

Транзистор IGBT STGW60H65DFB-4 от компании STMicroelectronics:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение collector-emitter (VCEO): 650 В
    • Максимальная токовая способность collector (ICM): 60 А
    • Максимальная частота работы (fT): 12 кГц
    • Предел скорости переключения (tRon): 15 нс
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме включенного состояния
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии (RON)
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Долгий срок службы из-за минимального теплового стресса
  • Минусы:
    • Высокие потери при переходе между состояниями (tRon)
    • Высокие требования к системам охлаждения при высоких нагрузках
    • Сложность в выборе оптимальных параметров для работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании устройств
    • Приведение мощности в различных приборах
    • Контроль тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленного оборудования
    • Электрооборудовании бытовых приборов
    • Системах энергосбережения и управления потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики STGW60H65DFB-4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    240 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    346µJ (on), 1.161mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    306 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    65ns/261ns
  • Условие испытаний
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    60 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Base Product Number
    STGW60

Техническая документация

 STGW60H65DFB-4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IHW30N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    622Кешбэк 93 балла
    IKA15N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP
    633Кешбэк 94 балла
    AIGB15N65F5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    677Кешбэк 101 балл
    AIGW40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    IKZA75N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    945Кешбэк 141 балл
    IGW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    984Кешбэк 147 баллов
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    1 042Кешбэк 156 баллов
    AIGW50N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    1 118Кешбэк 167 баллов
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 138Кешбэк 170 баллов
    IKW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    1 244Кешбэк 186 баллов
    IKZA50N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 879Кешбэк 281 балл
    AIKW75N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 921Кешбэк 288 баллов
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    RGSX5TS65EGC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    870Кешбэк 130 баллов
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    RGS30TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 053Кешбэк 157 баллов
    RGWX5TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 222Кешбэк 183 балла
    RGS50TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 266Кешбэк 189 баллов
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 277Кешбэк 191 балл
    RGW00TS65HRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 281Кешбэк 192 балла
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 549Кешбэк 232 балла
    RGSX5TS65HRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 556Кешбэк 233 балла
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 756Кешбэк 263 балла
    RGSX5TS65DHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 824Кешбэк 273 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП