Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGW80H65DFB

STGW80H65DFB

STGW80H65DFB
;
STGW80H65DFB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGW80H65DFB при покупке от 1 шт 1119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW80H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW80H65DFB

STGW80H65DFB — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Он предназначен для использования в различных электротехнических приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 650В
    • Номинальный ток коллектора: 120А
    • Мощность при номинальных условиях: 469ВА
    • Пакет: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и эффективность
    • Малое сопротивление в ON-состоянии
    • Высокая скорость переключения
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высокой мощности
    • Сложность в выборе и настройке параметров
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленной электронике
    • Автомобильная электроника
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы
    • Питание переменного тока

Транзисторы IGBT типа STGW80H65DFB широко применяются в устройствах, требующих высокой мощности и эффективности, таких как инверторы частоты, преобразователи напряжения, электродвигатели и другие промышленные приборы.

Выбрано: Показать

Характеристики STGW80H65DFB

Техническая документация

STGW80H65DFB.pdf
pdf. 0 kb
  • 445 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 119 ₽
  • 30
    635 ₽
  • 120
    529 ₽
  • 510
    451 ₽
  • 1020
    437 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGW80H65DFB при покупке от 1 шт 1119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGW80H65DFB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGW80H65DFB

STGW80H65DFB — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Он предназначен для использования в различных электротехнических приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 650В
    • Номинальный ток коллектора: 120А
    • Мощность при номинальных условиях: 469ВА
    • Пакет: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и эффективность
    • Малое сопротивление в ON-состоянии
    • Высокая скорость переключения
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высокой мощности
    • Сложность в выборе и настройке параметров
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленной электронике
    • Автомобильная электроника
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы
    • Питание переменного тока

Транзисторы IGBT типа STGW80H65DFB широко применяются в устройствах, требующих высокой мощности и эффективности, таких как инверторы частоты, преобразователи напряжения, электродвигатели и другие промышленные приборы.

Выбрано: Показать

Характеристики STGW80H65DFB

Техническая документация

STGW80H65DFB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории