STGWA80H65FB

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 650 В
• Ток коллектора (Ic): 120 А
• Мощность коллектора (Pc): 469 Вт
• Тип корпуса: TO247
• Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Плюсы:

• Высокое напряжение и ток, позволяющие использовать в мощных приложениях.
• Высокая эффективность благодаря сочетанию свойств биполярного транзистора и полевого транзистора.
• Простота управления за счет высокого входного сопротивления.
• Надежность и долговечность.

Минусы:

• Более медленное переключение по сравнению с MOSFET транзисторами.
• Наличие паразитной индуктивности, что может приводить к колебаниям.
• Более высокая стоимость по сравнению с MOSFET транзисторами аналогичной мощности.

Общее назначение:

STGWA80H65FB – это IGBT транзистор, предназначенный для использования в силовых преобразователях, инверторах и других приложениях, требующих коммутации больших токов и напряжений.

Применение:

• Инверторы для солнечной энергетики.
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Сварочные аппараты.
• Электродвигатели с регулируемой скоростью.
• Системы управления электроприводами.
• Зарядные устройства для электромобилей.