Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGWT20V60F

STGWT20V60F

STGWT20V60F
;
STGWT20V60F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGWT20V60F при покупке от 7 шт 668.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT20V60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT20V60F

STGWT20V60F — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)): 600 В
  • Номинальный ток нагрузки (ITO): 40 А
  • Удельная мощность (PD): 167 Вт
  • Форм-фактор: TO3PF

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Использование токо- и напряженно-непроницаемого слоя обеспечивает низкое энергетическое сопротивление.
  • Устойчивость к перегреву: Высокая удельная мощность позволяет эффективно отводить тепло.
  • Простота управления: Возможность управления через гейт без необходимости использования дополнительных компонентов.
  • Высокая надежность: Прочное конструктивное исполнение и надежные технологии производства.

Минусы:

  • Высокая стоимость: По сравнению с другими типами транзисторов, IGBT могут быть более дорогими.
  • Требуются дополнительные компоненты для защиты: Для обеспечения надежной работы часто требуется использование дополнительных элементов, таких как диоды и резисторы.

Общее назначение: IGBT используются в широком спектре приложений, где требуется высокая мощность и точность управления током. Это включает в себя:

  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
  • Системы преобразования энергии
  • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT20V60F

Техническая документация

STGWT20V60F.pdf
pdf. 0 kb
  • 774 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 7 шт
  • Количество
    Цена
  • 7
    668 ₽
  • 8
    587 ₽
  • 25
    534 ₽
  • 88
    494 ₽
  • 376
    441 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGWT20V60F при покупке от 7 шт 668.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT20V60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT20V60F

STGWT20V60F — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)): 600 В
  • Номинальный ток нагрузки (ITO): 40 А
  • Удельная мощность (PD): 167 Вт
  • Форм-фактор: TO3PF

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Использование токо- и напряженно-непроницаемого слоя обеспечивает низкое энергетическое сопротивление.
  • Устойчивость к перегреву: Высокая удельная мощность позволяет эффективно отводить тепло.
  • Простота управления: Возможность управления через гейт без необходимости использования дополнительных компонентов.
  • Высокая надежность: Прочное конструктивное исполнение и надежные технологии производства.

Минусы:

  • Высокая стоимость: По сравнению с другими типами транзисторов, IGBT могут быть более дорогими.
  • Требуются дополнительные компоненты для защиты: Для обеспечения надежной работы часто требуется использование дополнительных элементов, таких как диоды и резисторы.

Общее назначение: IGBT используются в широком спектре приложений, где требуется высокая мощность и точность управления током. Это включает в себя:

  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
  • Системы преобразования энергии
  • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT20V60F

Техническая документация

STGWT20V60F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 7 шт