Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
STGWT30V60F
  • В избранное
  • В сравнение
STGWT30V60F

STGWT30V60F

STGWT30V60F
;
STGWT30V60F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60F
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 260W TO3PFВсе характеристики

Минимальная цена STGWT30V60F при покупке от 1 шт 704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60F

STGWT30V60F — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Параметры этого транзистора:

  • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Пониженная мощность: 260 ВА
  • Форм-фактор корпуса: TO3PF

Основные преимущества:

  • Высокая эффективность: низкое значение потерь при работе.
  • Малые размеры: благодаря компактному корпусу TO3PF.
  • Прочность: устойчив к перегреву и воздействию внешней среды.
  • Легкость управления: простое управление с помощью сигнала на входе.

Основные недостатки:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуют дополнительного охлаждения: особенно при высоких нагрузках.
  • Комплексность применения: требуются специальные знания для правильной настройки и использования.

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты.
  • Входит в состав систем управления электродвигателями.
  • При использовании в источниках питания.
  • В инверторах для солнечных батарей.
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60F

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    260 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60F.pdf
pdf. 0 kb
  • 542 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    704 ₽
  • 30
    391 ₽
  • 120
    321 ₽
  • 510
    292 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STGWT30V60F
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 600V 60A 260W TO3PFВсе характеристики

Минимальная цена STGWT30V60F при покупке от 1 шт 704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGWT30V60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGWT30V60F

STGWT30V60F — это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics. Параметры этого транзистора:

  • Номинальное напряжение блокировки: 600 В
  • Номинальный ток: 60 А
  • Пониженная мощность: 260 ВА
  • Форм-фактор корпуса: TO3PF

Основные преимущества:

  • Высокая эффективность: низкое значение потерь при работе.
  • Малые размеры: благодаря компактному корпусу TO3PF.
  • Прочность: устойчив к перегреву и воздействию внешней среды.
  • Легкость управления: простое управление с помощью сигнала на входе.

Основные недостатки:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуют дополнительного охлаждения: особенно при высоких нагрузках.
  • Комплексность применения: требуются специальные знания для правильной настройки и использования.

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях частоты.
  • Входит в состав систем управления электродвигателями.
  • При использовании в источниках питания.
  • В инверторах для солнечных батарей.
Выбрано: Показать

Характеристики STGWT30V60F

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    260 W
  • Энергия переключения
    383µJ (on), 233µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    163 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    45ns/189ns
  • Условие испытаний
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Base Product Number
    STGWT30

Техническая документация

 STGWT30V60F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGP10NC60KDТранзистор: IGBT 600V 20A 65W TO220
    361Кешбэк 54 балла
    STGB10H60DFТранзистор: IGBT 600V 20A 115W D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    AUIRGR4045DТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    IKW03N120H2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
    313Кешбэк 46 баллов
    HGT1S12N60A4DSТранзистор: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
    552Кешбэк 82 балла
    IRG4IBC20WPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 34W TO220FP
    207Кешбэк 31 балл
    FGPF70N33BTTUТранзистор: IGBT, 330V, N-CHANNEL, TO-220AB
    285Кешбэк 42 балла
    AUIRGDC0250Транзистор: IGBT 1200V 141A 543W TO-220
    2 971Кешбэк 445 баллов
    STGD5H60DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    263Кешбэк 39 баллов
    STGD3NB60SDT4Транзистор: IGBT 600V 6A 48W DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    SKA06N60XKSA1Транзистор: IGBT 600V 9A 32W TO220-3
    130Кешбэк 19 баллов
    STGP30H60DFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    563Кешбэк 84 балла
    IRGS4607DTRLPBFТранзистор: IGBT 600V 11A D2PAK
    228Кешбэк 34 балла
    IRG4BC15UD-SPBFТранзистор: IGBT 600V 14A 49W D2PAK
    341Кешбэк 51 балл
    NGTG15N120FL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
    382Кешбэк 57 баллов
    STGD7NC60HT4Транзистор: IGBT 600V 25A 70W DPAK
    574Кешбэк 86 баллов
    SKB02N60E3266ATMA1Транзистор: IGBT 600V 6A 30W TO263-3
    146Кешбэк 21 балл
    IRG4RC10UTRPBFТранзистор: IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
    133Кешбэк 19 баллов
    STGD18N40LZT4Транзистор: IGBT 420V 25A 125W DPAK
    285Кешбэк 42 балла
    IKP40N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A 255W TO220-3
    409Кешбэк 61 балл
    IXGH36N60B3Транзистор: IGBT 600V 92A 250W TO247
    1 100Кешбэк 165 баллов
    STGB19NC60KT4Транзистор: IGBT 600V 35A 125W D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    NGB8206ANTF4GТранзистор: IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
    287Кешбэк 43 балла
    SKW20N60FKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 179W TO247-3
    435Кешбэк 65 баллов
    HGTG20N60B3Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    532Кешбэк 79 баллов
    STGD10HF60KDТранзистор: IGBT 600V 10A DPAK
    432Кешбэк 64 балла
    FGPF30N45TTUТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    230Кешбэк 34 балла
    SGB15N60Транзистор: IGBT, 31A, 600V, N-CHANNEL
    306Кешбэк 45 баллов
    STGD8NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 15A 62W DPAK
    332Кешбэк 49 баллов
    STGB15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    456Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП