Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STH180N10F3-2
  • В избранное
  • В сравнение
STH180N10F3-2

STH180N10F3-2

STH180N10F3-2
;
STH180N10F3-2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STH180N10F3-2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2Все характеристики

Минимальная цена STH180N10F3-2 при покупке от 1 шт 1018.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STH180N10F3-2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STH180N10F3-2

STH180N10F3-2 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 100В 180А H2PAK-2

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Разрядная токовая способность: 180А
    • Форм-фактор: H2PAK-2
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная токовая способность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер и компактность
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме регулирования
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых электронных устройствах
    • Используется в системах управления двигателем
    • Участвует в преобразователях мощности
    • Входит в состав регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы энергоснабжения
    • Приборы для управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики STH180N10F3-2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6665 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    315W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    H2Pak-2
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STH180

Техническая документация

 STH180N10F3-2.pdf
pdf. 0 kb
  • 984 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 018 ₽
  • 10
    677 ₽
  • 100
    551 ₽
  • 500
    507 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STH180N10F3-2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2Все характеристики

Минимальная цена STH180N10F3-2 при покупке от 1 шт 1018.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STH180N10F3-2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STH180N10F3-2

STH180N10F3-2 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 100В 180А H2PAK-2

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Разрядная токовая способность: 180А
    • Форм-фактор: H2PAK-2
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная токовая способность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер и компактность
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме регулирования
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Применяется в силовых электронных устройствах
    • Используется в системах управления двигателем
    • Участвует в преобразователях мощности
    • Входит в состав регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы энергоснабжения
    • Приборы для управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики STH180N10F3-2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6665 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    315W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    H2Pak-2
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STH180

Техническая документация

 STH180N10F3-2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PSMN017-30LL,115MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
    126Кешбэк 18 баллов
    BUK9637-100E,118MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    BUK7K134-100EXТранзистор: BUK7K134-100E - DUAL N-CHANNEL 1
    287Кешбэк 43 балла
    BUK752R3-40E,127MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    333Кешбэк 49 баллов
    BUK7E3R1-40E,127MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
    359Кешбэк 53 балла
    PSMN6R0-25YLB,115MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
    187Кешбэк 28 баллов
    PSMN5R5-60YS,115MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    450Кешбэк 67 баллов
    BUK661R9-40C,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    837Кешбэк 125 баллов
    PHB18NQ10T,118MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
    235Кешбэк 35 баллов
    BUK7M45-40EXMOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
    174Кешбэк 26 баллов
    BUK7212-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
    418Кешбэк 62 балла
    PMCM4401VNEAZMOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
    133Кешбэк 19 баллов
    PSMN3R3-80PS,127MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
    1 018Кешбэк 152 балла
    BUK7E11-55B,127MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    324Кешбэк 48 баллов
    BUK9E4R4-40B,127MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
    529Кешбэк 79 баллов
    BUK7Y43-60EXТранзистор: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
    213Кешбэк 31 балл
    BUK7E2R7-30B,127MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    555Кешбэк 83 балла
    BUK754R0-55B,127PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1
    313Кешбэк 46 баллов
    PSMN1R1-40BS,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    811Кешбэк 121 балл
    PMV75UP,215Транзистор: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
    57Кешбэк 8 баллов
    BUK7E07-55B,127MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    354Кешбэк 53 балла
    BUK7K32-100EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
    415Кешбэк 62 балла
    BUK7108-40AIE,118PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1
    298Кешбэк 44 балла
    BUK9E04-30B,127MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    518Кешбэк 77 баллов
    BUK7510-100B,127PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1
    304Кешбэк 45 баллов
    PHB110NQ08T,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    528Кешбэк 79 баллов
    BUK9511-55A,127MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    224Кешбэк 33 балла
    BUK9516-75B,127MOSFET N-CH 75V 67A TO220AB
    130Кешбэк 19 баллов
    BUK7619-100B,118MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
    311Кешбэк 46 баллов
    PHP18NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
    531Кешбэк 79 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП