Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Модули драйверов питания
STIPNS1M50SDT-H
  • В избранное
  • В сравнение
STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H
;
STIPNS1M50SDT-H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STIPNS1M50SDT-H
  • Описание:
    SLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTELВсе характеристики

Минимальная цена STIPNS1M50SDT-H при покупке от 1 шт 1593.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STIPNS1M50SDT-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H от STMicroelectronics

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 1200 В
    • Максимальный ток: 1.5 А
    • Тип: MOSFET
    • Технология: SiC (суперконденсаторная)
    • Объем:Slimm-Nano
    • Размеры: малые размеры для компактного дизайна
    • Потери: низкие потери при работе
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Компактные размеры
    • Низкие тепловые потери
    • Прочность конструкции
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специализированной техники для монтажа
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления силами (PFC)
    • В трансформаторных блоках питания
    • В системах энергосбережения
    • В инверторах
    • В электромобилях и других устройствах, требующих высокую эффективность и компактность
  • Применяется в:
    • Электронных устройствах
    • Автомобильных системах
    • Системах энергоснабжения
    • Инверторах
    • Системах управления силами
Выбрано: Показать

Характеристики STIPNS1M50SDT-H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    3 Phase Inverter
  • Сила тока
    1 A
  • Напряжение
    500 V
  • Изоляционное напряжение
    1000Vrms
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    26-PowerSMD Module, Gull Wing
  • Base Product Number
    STIPNS1

Техническая документация

 STIPNS1M50SDT-H.pdf
pdf. 0 kb
  • 87 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 593 ₽
  • 5
    1 413 ₽
  • 10
    1 233 ₽
  • 50
    1 176 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STIPNS1M50SDT-H
  • Описание:
    SLLIMM-NANO SMALL LOW-LOSS INTELВсе характеристики

Минимальная цена STIPNS1M50SDT-H при покупке от 1 шт 1593.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STIPNS1M50SDT-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H от STMicroelectronics

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 1200 В
    • Максимальный ток: 1.5 А
    • Тип: MOSFET
    • Технология: SiC (суперконденсаторная)
    • Объем:Slimm-Nano
    • Размеры: малые размеры для компактного дизайна
    • Потери: низкие потери при работе
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Компактные размеры
    • Низкие тепловые потери
    • Прочность конструкции
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требует специализированной техники для монтажа
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления силами (PFC)
    • В трансформаторных блоках питания
    • В системах энергосбережения
    • В инверторах
    • В электромобилях и других устройствах, требующих высокую эффективность и компактность
  • Применяется в:
    • Электронных устройствах
    • Автомобильных системах
    • Системах энергоснабжения
    • Инверторах
    • Системах управления силами
Выбрано: Показать

Характеристики STIPNS1M50SDT-H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип
    MOSFET
  • Конфигурация
    3 Phase Inverter
  • Сила тока
    1 A
  • Напряжение
    500 V
  • Изоляционное напряжение
    1000Vrms
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    26-PowerSMD Module, Gull Wing
  • Base Product Number
    STIPNS1

Техническая документация

 STIPNS1M50SDT-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FNB35060TPWR DRVR MOD 600V 50A 27PWRDIP
    5 736Кешбэк 860 баллов
    FSB50250BSIPM 500V 2A
    1 365Кешбэк 204 балла
    NFAL7565L4BTIPM 650V 75A
    11 262Кешбэк 1 689 баллов
    NFAM3065L4B3 PHASE INVERTER IPM
    4 204Кешбэк 630 баллов
    NFAL5065L4BTIPM 650V 50A 31PWRDIP MOD
    10 442Кешбэк 1 566 баллов
    NFAL7565L4BIPM 650V 75A
    11 262Кешбэк 1 689 баллов
    NFAL5065L4BIPM 650V 50A
    8 906Кешбэк 1 335 баллов
    FND43060T2IPM SPM45_V2 600V 30A REM
    3 459Кешбэк 518 баллов
    NXV65HR82DS1AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
    6 445Кешбэк 966 баллов
    NFAM3065L4BTIPM 650V 30A
    4 107Кешбэк 616 баллов
    BM64375S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 291Кешбэк 643 балла
    BM63373S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 041Кешбэк 606 баллов
    BM63963S-VCINTELLIGENT POWER MODULE
    4 376Кешбэк 656 баллов
    BM63767S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    5 247Кешбэк 787 баллов
    BM63563S-VAINTELLIGENT POWER MODULE
    2 216Кешбэк 332 балла
    BM63967S-VAINTELLIGENT POWER MODULE
    5 877Кешбэк 881 балл
    BM63767S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    5 300Кешбэк 795 баллов
    BM63574S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 643Кешбэк 696 баллов
    BM63577S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 241Кешбэк 636 баллов
    BM64378S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    5 760Кешбэк 864 балла
    BM63575S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    5 230Кешбэк 784 балла
    BM63963S-VAINTELLIGENT POWER MODULE
    4 382Кешбэк 657 баллов
    BM63577S-VC600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    5 525Кешбэк 828 баллов
    BM63574S-VA600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
    4 643Кешбэк 696 баллов
    FBS-GAM01P-C-PSEMOD GAN SINGLE LO SIDE DRVR 9SMT
    61 138Кешбэк 9 170 баллов
    FBS-GAM04-P-C100MOD GAN100V5A 2 LO SD DRVR 18SMT
    122 276Кешбэк 18 341 балл
    FBS-GAM02P-C-PSEMOD GAN PWRHI/LO SIDE DRVR 18SMT
    97 821Кешбэк 14 673 балла
    FBS-GAM01-P-C50MOD GAN 50V10A LO SIDE DRVR 9SMT
    85 593Кешбэк 12 838 баллов
    FBS-GAM02-P-C50MOD GAN 50V 10A 1/2 BRIDGE 18SMT
    122 276Кешбэк 18 341 балл
    FBS-GAM01-P-C100MOD GAN 100V5A LO SIDE DRVR 9SMT
    85 593Кешбэк 12 838 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП