Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STL3N10F7
STL3N10F7

STL3N10F7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL3N10F7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL3N10F7 при покупке от 1 шт 128.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL3N10F7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STL3N10F7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    408 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (2x2)
  • Корпус
    6-PowerWDFN
  • Base Product Number
    STL3
Техническая документация
 STL3N10F7.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 164 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    128 ₽
  • 100
    63 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 6000
    33.4 ₽
  • 15000
    31 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STL3N10F7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLATВсе характеристики

Минимальная цена STL3N10F7 при покупке от 1 шт 128.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STL3N10F7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STL3N10F7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    408 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerFlat™ (2x2)
  • Корпус
    6-PowerWDFN
  • Base Product Number
    STL3
Техническая документация
 STL3N10F7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SSM3J15FU,LFMOSFET P-CH 30V 100MA USM
    SI1013X-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
    IRFZ46NPBFMOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
    IXTA52P10PMOSFET P-CH 100V 52A TO263
    IPB65R310CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
    SI2306BDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    FDP8030LMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    SIHG70N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
    DMP3098LDM-7MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
    STF40NF20MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
    PSMN0R9-30YLDXMOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
    NP180N04TUK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    FCP13N60NMOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
    DMTH6010SK3-13MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
    BS250PMOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
    BSP135H6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    RV2C002UNT2LMOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
    STP42N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 34A TO220
    APT44F80B2MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
    IPZ40N04S5L2R8ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    SUD50P04-08-GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    STP9NK50ZMOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
    NDC631NMOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
    STB80NF03L-04T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    IRFR220TRPBFMOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
    2SK4097LSMOSFET N-CH 500V 8.3A TO220FI
    FDS86252MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
    STH290N4F6-6AGMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
    FQPF8N80CYDTUMOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
    FDJ127PMOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 FLMP

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП