Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP10N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STP10N60M2

STP10N60M2

STP10N60M2
;
STP10N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STP10N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP10N60M2 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP10N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STP10N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP10

Техническая документация

 STP10N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 924 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    146 ₽
  • 100
    139 ₽
  • 1000
    118 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STP10N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP10N60M2 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP10N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STP10N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP10

Техническая документация

 STP10N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17308Q3TТранзистор: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
    307Кешбэк 46 баллов
    RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
    100Кешбэк 15 баллов
    NTMFS5C442NLT1GMOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFP150MPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    544Кешбэк 81 балл
    NTP5404NRGMOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    HUFA76645S3STMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    319Кешбэк 47 баллов
    C2M0280120DТранзистор: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
    2 149Кешбэк 322 балла
    RSR030N06TLMOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
    134Кешбэк 20 баллов
    FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    157Кешбэк 23 балла
    IPD50N04S4L08ATMA1MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
    207Кешбэк 31 балл
    IRFP260NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    796Кешбэк 119 баллов
    TK5A50D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
    306Кешбэк 45 баллов
    DMN10H120SFG-13MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
    160Кешбэк 24 балла
    AON6294MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
    163Кешбэк 24 балла
    RJK0212DPA-00#J5AMOSFET N-CH WPAK
    157Кешбэк 23 балла
    SQJ463EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
    712Кешбэк 106 баллов
    STD12N65M2MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
    350Кешбэк 52 балла
    DMP2004K-7MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    IPL65R1K5C6SATMA1MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
    302Кешбэк 45 баллов
    TK8A65D(STA4,Q,M)Транзистор: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
    529Кешбэк 79 баллов
    ZVN2120GTAMOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
    179Кешбэк 26 баллов
    NVF3055L108T1GMOSFET N-CH 60V 3A SOT223
    239Кешбэк 35 баллов
    DMT8012LPS-13MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
    289Кешбэк 43 балла
    R6015ANXMOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
    1 277Кешбэк 191 балл
    BUK7E4R3-75C,127MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
    643Кешбэк 96 баллов
    IRFI9Z24GPBFMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
    316Кешбэк 47 баллов
    NP90N055VDG-E1-AYMOSFET N-CH 55V 90A TO252
    799Кешбэк 119 баллов
    FCP11N60FMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    635Кешбэк 95 баллов
    DMN3010LFG-7MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
    116Кешбэк 17 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    423Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП