Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP11NM50N
  • В избранное
  • В сравнение
STP11NM50N

STP11NM50N

STP11NM50N
;
STP11NM50N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP11NM50N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP11NM50N при покупке от 1 шт 319.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP11NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP11NM50N

STP11NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 500 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 8.5 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Высокий ток проводимости
    • Компактный размер
    • Низкое сопротивление в насыщенном режиме
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует использования дополнительного источника питания для подачи напряжения на гейт
    • Могут возникать проблемы при работе при очень высоких частотах из-за емкости гейта
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Обеспечение защиты электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы управления двигателей
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Питательные блоки
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STP11NM50N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    470mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    547 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP11N

Техническая документация

 STP11NM50N.pdf
pdf. 0 kb
  • 109 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    319 ₽
  • 50
    241 ₽
  • 100
    229 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP11NM50N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP11NM50N при покупке от 1 шт 319.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP11NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP11NM50N

STP11NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 500 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 8.5 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Высокий ток проводимости
    • Компактный размер
    • Низкое сопротивление в насыщенном режиме
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует использования дополнительного источника питания для подачи напряжения на гейт
    • Могут возникать проблемы при работе при очень высоких частотах из-за емкости гейта
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Обеспечение защиты электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы управления двигателей
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Питательные блоки
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики STP11NM50N

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    470mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    547 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP11N

Техническая документация

 STP11NM50N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVF6P02T3GMOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
    285Кешбэк 42 балла
    FDMS86310MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
    535Кешбэк 80 баллов
    2SK4043LSMOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
    369Кешбэк 55 баллов
    NTLUS3A18PZTAGMOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
    195Кешбэк 29 баллов
    FDMS0310ASMOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
    233Кешбэк 34 балла
    EMH1405-TL-HMOSFET N-CH 30V 8.5A 8EMH
    67Кешбэк 10 баллов
    NTLJS3A18PZTWGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4937NCT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
    196Кешбэк 29 баллов
    NTMFS4C35NT1GMOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
    89Кешбэк 13 баллов
    NTD4909N-1GMOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
    62Кешбэк 9 баллов
    CPH3348-TL-WMOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
    39Кешбэк 5 баллов
    MCH3333A-TL-WMOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3
    56Кешбэк 8 баллов
    NTHS5443T1MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    37Кешбэк 5 баллов
    FDD7N25LZTMMOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    FDC654PMOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
    104Кешбэк 15 баллов
    FDMS7572SMOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
    395Кешбэк 59 баллов
    FDS2672POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    478Кешбэк 71 балл
    FDN342PMOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
    167Кешбэк 25 баллов
    FDMS8622MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
    263Кешбэк 39 баллов
    FDD390N15ALZMOSFET N-CH 150V 26A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    FDC2612MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
    172Кешбэк 25 баллов
    CPH6311-TL-EMOSFET P-CH 20V 5A 6CPH
    48Кешбэк 7 баллов
    FDMS86300DCMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
    580Кешбэк 87 баллов
    NTD4857NA-1GMOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
    80Кешбэк 12 баллов
    NTMFS4898NFT3GMOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
    178Кешбэк 26 баллов
    NTD4858NA-1GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    NTD50N03R-1GMOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
    26Кешбэк 3 балла
    HUFA75639S3ST56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL,
    508Кешбэк 76 баллов
    NVB5405NT4G
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS3572MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
    572Кешбэк 85 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП