Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP11NM80
  • В избранное
  • В сравнение
STP11NM80

STP11NM80

STP11NM80
;
STP11NM80

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP11NM80
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 11A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP11NM80 при покупке от 1 шт 790.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP11NM80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP11NM80

STP11NM80 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 800В 11А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 11А
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Эффективность работы при высоких температурах
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимость дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Управление потребителями электричества
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Мощные преобразователи напряжения
    • Электроприводы
Выбрано: Показать

Характеристики STP11NM80

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1630 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP11

Техническая документация

 STP11NM80.pdf
pdf. 0 kb
  • 53 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    790 ₽
  • 10
    682 ₽
  • 50
    578 ₽
  • 100
    537 ₽
  • 500
    461 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP11NM80
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 11A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP11NM80 при покупке от 1 шт 790.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP11NM80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP11NM80

STP11NM80 STMicroelectronics MOSFET N-Ч 800В 11А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 11А
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Эффективность работы при высоких температурах
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимость дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Управление потребителями электричества
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Мощные преобразователи напряжения
    • Электроприводы
Выбрано: Показать

Характеристики STP11NM80

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43.6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1630 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP11

Техническая документация

 STP11NM80.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GKI07301MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
    260Кешбэк 39 баллов
    IRF9332TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLR2705TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    ZXMN10A11GTAMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
    195Кешбэк 29 баллов
    BUK7Y8R7-60EXMOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
    376Кешбэк 56 баллов
    IPA60R385CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    550Кешбэк 82 балла
    BUK9612-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    627Кешбэк 94 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    209Кешбэк 31 балл
    IXTA62N15PMOSFET N-CH 150V 62A TO263
    812Кешбэк 121 балл
    IXFH170N10PMOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
    2 435Кешбэк 365 баллов
    IXTP76P10TMOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
    1 240Кешбэк 186 баллов
    IRFB3806PBFMOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    HUF75852G3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
    2 558Кешбэк 383 балла
    IXTP110N055T2MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
    601Кешбэк 90 баллов
    IXTA6N50D2MOSFET N-CH 500V 6A TO263
    1 848Кешбэк 277 баллов
    IXFH15N100Q3MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
    3 332Кешбэк 499 баллов
    IXFX180N25TMOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
    3 164Кешбэк 474 балла
    IRFZ44PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    323Кешбэк 48 баллов
    IXTA180N10TMOSFET N-CH 100V 180A TO263
    1 147Кешбэк 172 балла
    IXTH8P50MOSFET P-CH 500V 8A TO247
    1 647Кешбэк 247 баллов
    IXFX80N50PMOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
    3 120Кешбэк 468 баллов
    IXFK140N20PMOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
    3 201Кешбэк 480 баллов
    STFI20NM65NMOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
    810Кешбэк 121 балл
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    407Кешбэк 61 балл
    STP32N65M5MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 214Кешбэк 182 балла
    IXTH88N30PMOSFET N-CH 300V 88A TO247
    1 937Кешбэк 290 баллов
    IXTA08N100D2MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
    725Кешбэк 108 баллов
    SIHF28N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 28A TO220
    1 254Кешбэк 188 баллов
    IRF840BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    377Кешбэк 56 баллов
    IXFA12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO263
    604Кешбэк 90 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП