Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
STP33N60M6
STP33N60M6

STP33N60M6

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP33N60M6
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 25A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP33N60M6 при покупке от 1 шт 822.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP33N60M6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STP33N60M6

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 12.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1515 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP33
Техническая документация
 STP33N60M6.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    822 ₽
  • 10
    631 ₽
  • 100
    493 ₽
  • 500
    384 ₽
  • 1000
    353 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP33N60M6
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 25A TO220Все характеристики

Минимальная цена STP33N60M6 при покупке от 1 шт 822.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP33N60M6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STP33N60M6

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 12.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1515 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP33
Техническая документация
 STP33N60M6.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    C3M0021120KSICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
    5 293Кешбэк 793 балла
    IPD135N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    85Кешбэк 12 баллов
    UPA1716G-E1-AP-CHANNEL POWER MOSFET
    231Кешбэк 34 балла
    2SK1283(1)-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    351Кешбэк 52 балла
    IPLK70R750P7ATMA1MOSFET N-CH 700V TDSON-8
    284Кешбэк 42 балла
    AO4266EMOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO
    52Кешбэк 7 баллов
    SIHA5N80AE-GE3E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
    227Кешбэк 34 балла
    2SK4100LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов
    TSM60NB900CH C5GMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
    318Кешбэк 47 баллов
    IMZ120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
    1 821Кешбэк 273 балла
    IAUS165N08S5N029ATMA1MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
    745Кешбэк 111 баллов
    PJQ2410_R1_00001DFN2020B-6L, MOSFET
    115Кешбэк 17 баллов
    UPA2803T1L-E2-AYMOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
    345Кешбэк 51 балл
    NVTFWS070N10MCLTAGPTNG 100V LL U8FL
    222Кешбэк 33 балла
    H7N1004FN-E-A9#B0FN-CHANNEL POWER MOSFET
    238Кешбэк 35 баллов
    SSM3K361R,LXHFAECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
    178Кешбэк 26 баллов
    DMPH4023SK3-13MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
    191Кешбэк 28 баллов
    NTB6N60N-CHANNEL POWER MOSFET
    160Кешбэк 24 балла
    RJK03M8DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    153Кешбэк 22 балла
    NTMYS8D0N04CTWGMOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
    289Кешбэк 43 балла
    SI7113ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
    154Кешбэк 23 балла
    IPTC015N10NM5ATMA1MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
    1 163Кешбэк 174 балла
    SQJ211ELP-T1_GE3MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
    331Кешбэк 49 баллов
    SQSA80ENW-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
    247Кешбэк 37 баллов
    SQJQ402E-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
    643Кешбэк 96 баллов
    DI100N10PQMOSFET N-CH 100V 100A 8QFN
    422Кешбэк 63 балла
    NVTFS6H850NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    376Кешбэк 56 баллов
    SIHH070N60EF-T1GE3MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
    1 247Кешбэк 187 баллов
    APT6025BLLGMOSFET N-CH 600V 24A TO247
    2 908Кешбэк 436 баллов
    TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH
    649Кешбэк 97 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП