Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STP5NK50Z
  • В избранное
  • В сравнение
STP5NK50Z

STP5NK50Z

STP5NK50Z
;
STP5NK50Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP5NK50Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP5NK50Z при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP5NK50Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP5NK50Z

STP5NK50Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 4.4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый динамический ток
    • Быстрое включение и выключение
    • Конструктивно простой
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • Требует правильного выбора сопротивления подтягивающего резистора
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Импульсная передача энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики STP5NK50Z

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    535 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP5NK50

Техническая документация

 STP5NK50Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 162 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    361 ₽
  • 10
    202 ₽
  • 25
    176 ₽
  • 100
    145 ₽
  • 500
    116 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STP5NK50Z
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена STP5NK50Z при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STP5NK50Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STP5NK50Z

STP5NK50Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Номинальный ток: 4.4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый динамический ток
    • Быстрое включение и выключение
    • Конструктивно простой
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • Требует правильного выбора сопротивления подтягивающего резистора
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Импульсная передача энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики STP5NK50Z

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    535 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    STP5NK50

Техническая документация

 STP5NK50Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTTFS4C10NTAGMOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
    113Кешбэк 16 баллов
    FDS86106MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    295Кешбэк 44 балла
    ECH8420-TL-HMOSFET N-CH 20V 14A 8ECH
    250Кешбэк 37 баллов
    FDS3512MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
    528Кешбэк 79 баллов
    FDS8884MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
    106Кешбэк 15 баллов
    NTMFS5C460NLT3GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    126Кешбэк 18 баллов
    NTD14N03RT4GТранзистор: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
    69Кешбэк 10 баллов
    FCP36N60NMOSFET N-CH 600V 36A TO220-3
    1 354Кешбэк 203 балла
    FDS9400AMOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
    163Кешбэк 24 балла
    FDMC6675BZMOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
    300Кешбэк 45 баллов
    IRLM120ATFMOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
    70Кешбэк 10 баллов
    NTD4810NT4GMOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
    56Кешбэк 8 баллов
    NTMFS4C09NT1GMOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
    102Кешбэк 15 баллов
    NTD4810NH-1GMOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
    39Кешбэк 5 баллов
    NTHD5904NT1GMOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
    56Кешбэк 8 баллов
    FDPF55N06MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
    411Кешбэк 61 балл
    NTD4809NH-1GMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    NTMFS4C03NT1GMOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
    156Кешбэк 23 балла
    NTD50N03RGMOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
    46Кешбэк 6 баллов
    NTD4805N-35GMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
    85Кешбэк 12 баллов
    NTD40N03R-001MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
    83Кешбэк 12 баллов
    FDMC86340ET80
    571Кешбэк 85 баллов
    NVMFS5113PLT1GMOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
    656Кешбэк 98 баллов
    FDMC86102MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
    413Кешбэк 61 балл
    NTD20N06-001MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    65Кешбэк 9 баллов
    NTD6415ANLT4GMOSFET N-CH 100V 23A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    NVTFS5124PLWFTAGMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
    93Кешбэк 13 баллов
    FDMC86570LMOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
    506Кешбэк 75 баллов
    FDMC86340MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
    339Кешбэк 50 баллов
    NTD23N03R-001MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП