Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
STY50N105DK5
  • В избранное
  • В сравнение
STY50N105DK5

STY50N105DK5

STY50N105DK5
;
STY50N105DK5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STY50N105DK5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247Все характеристики

Минимальная цена STY50N105DK5 при покупке от 1 шт 5150.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STY50N105DK5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STY50N105DK5

STY50N105DK5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 1050 В
    • Максимальный ток: 44 А
    • Максимальная мощность: 247 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Компактные размеры
    • Низкий сопротивление в ON режиме
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Изменение направления тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Промышленные преобразователи
    • Блоки питания
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики STY50N105DK5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1050 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    MAX247™
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STY50
  • 575 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 150 ₽
  • 30
    3 317 ₽
  • 120
    3 180 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STY50N105DK5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247Все характеристики

Минимальная цена STY50N105DK5 при покупке от 1 шт 5150.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STY50N105DK5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STY50N105DK5

STY50N105DK5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 1050 В
    • Максимальный ток: 44 А
    • Максимальная мощность: 247 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Компактные размеры
    • Низкий сопротивление в ON режиме
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Изменение направления тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Промышленные преобразователи
    • Блоки питания
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики STY50N105DK5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1050 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    MAX247™
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    STY50

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTA3N120HVMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 582Кешбэк 237 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    6 030Кешбэк 904 балла
    IMW120R020M1HXKSA1SIC DISCRETE
    3 729Кешбэк 559 баллов
    IPA60R099P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220
    784Кешбэк 117 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 231Кешбэк 334 балла
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 198Кешбэк 479 баллов
    UJ3C065080T3SТранзистор: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 945Кешбэк 291 балл
    FDA20N50-F109MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    293Кешбэк 43 балла
    IXFH36N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
    1 751Кешбэк 262 балла
    BUK6Y19-30PXТранзистор: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
    270Кешбэк 40 баллов
    NTH4LN095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 717Кешбэк 257 баллов
    IPP60R125C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    962Кешбэк 144 балла
    FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    2 808Кешбэк 421 балл
    IRFF9122P-CHANNEL POWER MOSFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IMW120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
    1 271Кешбэк 190 баллов
    2SJ325-AYP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
    258Кешбэк 38 баллов
    SUP10250E-GE3MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
    482Кешбэк 72 балла
    IPP70N12S311AKSA1MOSFET N-CHANNEL_100+
    726Кешбэк 108 баллов
    IMZ120R350M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
    945Кешбэк 141 балл
    IRF644PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    335Кешбэк 50 баллов
    SQD10N30-330H_4GE3N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
    406Кешбэк 60 баллов
    RJK6014DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    915Кешбэк 137 баллов
    CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    191Кешбэк 28 баллов
    UF3C065040B3MOSFET N-CH 650V 41A TO263
    2 846Кешбэк 426 баллов
    NVTFS5C460NLTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    298Кешбэк 44 балла
    IPP50R250CPXKSA1LOW POWER_LEGACY
    426Кешбэк 63 балла
    IPU80R1K2P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
    152Кешбэк 22 балла
    IXTN400N15X4MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
    8 167Кешбэк 1 225 баллов
    SSM6K514NU,LFMOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
    119Кешбэк 17 баллов
    BUK9M8R5-40HXMOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
    346Кешбэк 51 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП