Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3
;
SUM70090E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SUM70090E-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70090E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70090E-GE3

Суммарно: MOSFET Vishay Siliconix SUM70090E-GE3 является ненасыщаемым полупроводниковым транзистором с негативным зарядом, работающим при напряжении до 100В и токе до 50А. Он упакован в корпус TO263.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS) - 100В
    • Ток пропускания (ID) - 50А
    • Коэффициент сопротивления при включении (RDS(on)) - не указан, но обычно для таких MOSFET он находится в диапазоне от 5 мО до 10 мО при токе 50А
    • Температурный коэффициент RDS(on) - не указан, но обычно положителен
    • Коэффициент передачи (Gm) - не указан, но обычно высокий для MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при включенном состоянии
    • Низкий коэффициент сопротивления при включении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малые потери энергии при работе
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие потери при переходе в состояние включения и выключения
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах
    • Не рекомендуется использовать при частых переключениях, так как могут возникать проблемы с разрядом емкости
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача мощности
    • Обеспечение защиты электронных систем
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Питание компьютеров и серверов
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70090E-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SUM70090

Техническая документация

SUM70090E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SUM70090E-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM70090E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM70090E-GE3

Суммарно: MOSFET Vishay Siliconix SUM70090E-GE3 является ненасыщаемым полупроводниковым транзистором с негативным зарядом, работающим при напряжении до 100В и токе до 50А. Он упакован в корпус TO263.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS) - 100В
    • Ток пропускания (ID) - 50А
    • Коэффициент сопротивления при включении (RDS(on)) - не указан, но обычно для таких MOSFET он находится в диапазоне от 5 мО до 10 мО при токе 50А
    • Температурный коэффициент RDS(on) - не указан, но обычно положителен
    • Коэффициент передачи (Gm) - не указан, но обычно высокий для MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при включенном состоянии
    • Низкий коэффициент сопротивления при включении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малые потери энергии при работе
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокие потери при переходе в состояние включения и выключения
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах
    • Не рекомендуется использовать при частых переключениях, так как могут возникать проблемы с разрядом емкости
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача мощности
    • Обеспечение защиты электронных систем
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Питание компьютеров и серверов
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SUM70090E-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SUM70090

Техническая документация

SUM70090E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории