Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SUM90100E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3
;
SUM90100E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SUM90100E-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2PВсе характеристики

Минимальная цена SUM90100E-GE3 при покупке от 1 шт 852.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM90100E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM90100E-GE3

Размеры и производитель: SUM90100E-GE3 — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Siliconix. Давление между дреном и сourse составляет 200 В.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Давление между дреном и сourse: 200 В
    • Максимальный ток дренажа: 10 А
    • Тип корпуса: D2P
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
    • Низкое сопротивление на проводимость
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму и помехам
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • В качестве транзисторов в схемах управления мощностью
    • Для создания высокочастотных фильтров
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Устройства связи и радиоэлектроники
Выбрано: Показать

Характеристики SUM90100E-GE3

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3930 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 SUM90100E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 258 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    852 ₽
  • 10
    608 ₽
  • 100
    450 ₽
  • 800
    341 ₽
  • 1600
    334 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SUM90100E-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2PВсе характеристики

Минимальная цена SUM90100E-GE3 при покупке от 1 шт 852.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUM90100E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SUM90100E-GE3

Размеры и производитель: SUM90100E-GE3 — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Siliconix. Давление между дреном и сourse составляет 200 В.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Давление между дреном и сourse: 200 В
    • Максимальный ток дренажа: 10 А
    • Тип корпуса: D2P
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
    • Низкое сопротивление на проводимость
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму и помехам
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • В качестве транзисторов в схемах управления мощностью
    • Для создания высокочастотных фильтров
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
    • Устройства связи и радиоэлектроники
Выбрано: Показать

Характеристики SUM90100E-GE3

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3930 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263 (D²Pak)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 SUM90100E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IMZ120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
    1 856Кешбэк 278 баллов
    IMZ120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
    1 447Кешбэк 217 баллов
    IPW65R145CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
    684Кешбэк 102 балла
    IPAN70R450P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 10A TO220
    220Кешбэк 33 балла
    BSZ035N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
    282Кешбэк 42 балла
    IPA60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    421Кешбэк 63 балла
    IPA65R280E6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
    567Кешбэк 85 баллов
    IPW65R041CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 616Кешбэк 242 балла
    IPA60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220
    624Кешбэк 93 балла
    IPA126N10NM3SXKSA1MOSFET N-CH 100V 39A TO220
    472Кешбэк 70 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    IPA60R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 600V 6A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    IPAN70R750P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
    107Кешбэк 16 баллов
    IMZA65R039M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 647Кешбэк 247 баллов
    IPW60R125C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    856Кешбэк 128 баллов
    IPW80R290C3AXKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
    1 291Кешбэк 193 балла
    IPA50R250CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
    461Кешбэк 69 баллов
    IPW65R018CFD7XKSA1650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
    2 998Кешбэк 449 баллов
    IPW65R041CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
    2 199Кешбэк 329 баллов
    IQE065N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-TSON-8
    552Кешбэк 82 балла
    IPZA60R080P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
    902Кешбэк 135 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    647Кешбэк 97 баллов
    IPWS65R050CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
    1 734Кешбэк 260 баллов
    IPA80R1K4CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
    292Кешбэк 43 балла
    IPA80R650CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
    484Кешбэк 72 балла
    IPA60R600P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
    174Кешбэк 26 баллов
    IPA60R180P7SXKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
    235Кешбэк 35 баллов
    IPS80R600P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
    584Кешбэк 87 баллов
    IPU95R750P7AKMA1MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
    346Кешбэк 51 балл
    IMZA65R057M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 364Кешбэк 204 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП