Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
SZMM3Z18VT1GX
  • В избранное
  • В сравнение
SZMM3Z18VT1GX

SZMM3Z18VT1GX

SZMM3Z18VT1GX
;
SZMM3Z18VT1GX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    SZMM3Z18VT1GX
  • Описание:
    SZMM3Z18VT1G/SOD323/SOD2Все характеристики

Минимальная цена SZMM3Z18VT1GX при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SZMM3Z18VT1GX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SZMM3Z18VT1GX

SZMM3Z18VT1GX Nexperia USA Inc.

  • Назначение: Эта компонента является полупроводниковым транзистором MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Размеры корпуса: SOD323/SOD2
    • Максимальное напряжение: 18В
    • Максимальная токовая нагрузка: 40А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Короткое время включения и выключения
    • Малый размер и легкость интеграции в различные электронные устройства
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения специфических условий при эксплуатации
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и др.
  • Применение:
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания для периферийного оборудования
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SZMM3Z18VT1GX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    18 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 13 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323

Техническая документация

 SZMM3Z18VT1GX.pdf
pdf. 0 kb
  • 2999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    54 ₽
  • 50
    23 ₽
  • 3000
    10.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    SZMM3Z18VT1GX
  • Описание:
    SZMM3Z18VT1G/SOD323/SOD2Все характеристики

Минимальная цена SZMM3Z18VT1GX при покупке от 1 шт 54.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SZMM3Z18VT1GX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SZMM3Z18VT1GX

SZMM3Z18VT1GX Nexperia USA Inc.

  • Назначение: Эта компонента является полупроводниковым транзистором MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Размеры корпуса: SOD323/SOD2
    • Максимальное напряжение: 18В
    • Максимальная токовая нагрузка: 40А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Короткое время включения и выключения
    • Малый размер и легкость интеграции в различные электронные устройства
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения специфических условий при эксплуатации
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и др.
  • Применение:
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания для периферийного оборудования
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SZMM3Z18VT1GX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    18 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 13 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323

Техническая документация

 SZMM3Z18VT1GX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FLZ33VADIODE ZENER 30.5V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ30VADIODE ZENER 27.7V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ12VADIODE ZENER 11.4V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX55C15Диод: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    14.8Кешбэк 2 балла
    1N753ATRDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
    13Кешбэк 1 балл
    BZX85C7V5DIODE ZENER 7.5V 1W 5% UNIDIR
    9.3Кешбэк 1 балл
    1N971BTRDIODE ZENER 27V 500MW DO35
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ27VDDIODE ZENER 27V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ15VADIODE ZENER 13.8V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ33VDDIODE ZENER 32.3V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ11VBDIODE ZENER 10.7V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX85C4V3Диод: DIODE ZENER 4.3V 1W DO204AL
    9.3Кешбэк 1 балл
    1N5224BDIODE ZENER 2.8V 0.5W 5% UNIDIR
    547Кешбэк 82 балла
    MMBZ5255BДиод: DIODE ZENER 28V 225MW SOT23-3
    5.6Кешбэк 1 балл
    BZX79C47DIODE ZENER 47V 0.5W 5% UNIDIR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX85C47DIODE ZENER 47V 1W 5% UNIDIR
    9.3Кешбэк 1 балл
    1N968BTRDIODE ZENER 20V 500MW DO35
    13Кешбэк 1 балл
    FLZ2V7BDIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX79C24DIODE ZENER 24V 500MW DO35
    5.6Кешбэк 1 балл
    FLZ16VCDIODE ZENER 16.1V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ18VADIODE ZENER 16.7V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ2V2BDIODE ZENER 2.3V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    1N5235BTAДиод: DIODE ZENER DO35
    13Кешбэк 1 балл
    BZX85C51DIODE ZENER 51V 1W DO204AL
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX85C18-T50RDIODE ZENER 18V 1W DO204AL
    9.3Кешбэк 1 балл
    FLZ22VBDIODE ZENER 21.2V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    FLZ33VCDIODE ZENER 31.7V 500MW SOD80
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX85C3V9TRDIODE ZENER 3.9V 1W DO204AL
    13Кешбэк 1 балл
    BZX55C2V7Диод: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    7.4Кешбэк 1 балл
    BZX79C13DIODE ZENER 13V 500MW DO35
    7.4Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП