TBB1002BMTL-E

TBB1002BMTL-E Renesas Electronics Corporation RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
  • Рабочее напряжение (V_DS(ON)): до 45 В
  • Максимальный ток дrain (I_D): 10 А
  • Тепловое сопротивление R_θJC: 1.3°C/W
  • Минимальное значение времени переключения t_rrd: 75 нс
• Плюсы:
  • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
  • Низкое значение тока течения при отключенном состоянии
  • Скорость переключения
  • Устойчивость к электрическим шумам
• Минусы:
  • Высокие потери при высокой температуре
  • Некоторые ограничения по максимальному току при высоких температурах
• Общее назначение:
  • Использование в цифровых и аналоговых цепях
  • Управление нагрузками
  • Переключение сигналов
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления
  • Промышленное оборудование
  • Портативные устройства
  • Системы связи