TBB1002BMTL-H

TBB1002BMTL-H Renesas Electronics Corporation Транзистор: RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
  • Мощность (Ptot): 15 Вт
  • Максимальный ток (Id): 4 А
  • Напряжение блокировки (Vds): 60 В
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Частота пропускания (fT): 3 GHz
• Плюсы:
  • Высокая скорость срабатывания благодаря высокой частоте пропускания (fT)
  • Высокая мощность и низкое напряжение блокировки делают его подходящим для широкого спектра приложений
  • Устойчивость к излучению, что делает его идеальным для радиоэлектронных устройств
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
  • Необходимо соблюдать осторожность при работе с высокими напряжениями и токами
• Общее назначение:
  • Радиоэлектронное оборудование
  • Системы управления мощностью
  • Передатчики и приемники высоких частот
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные телефоны и другие мобильные устройства
  • Автомобильные системы связи и навигации
  • Стационарные радиостанции и телевизионные передатчики