TBB1004DMTL-H

TBB1004DMTL-H Renesas Electronics Corporation - RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение V_DS(on): 45 В
  • Максимальная токовая способность I_D: 2 А
  • Тип: RF N-CHANNEL MOSFET
  • Технология производства: Si
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкий коэффициент тока
  • Высокий КПД
  • Устойчивость к шумам и помехам
• Минусы:
  • Относительно высокое сопротивление при отключенном канале
  • Необходимость дополнительного усилителя для управления при больших нагрузках
• Общее назначение:
  • Использование в радиочастотных (RF) устройствах
  • Работа в высокочастотных системах
  • Коммутирующие приборы
  • Антенны и приемопередатчики
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные устройства
  • Беспроводные системы
  • Системы связи
  • Автомобили
  • Инверторы и преобразователи