TBB1010KMWS-E

TBB1010KMWS-E Renesas Electronics Corporation Транзистор: RF N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• VDS(max): 100В
• ID(max): 1A
• RDS(on): 35mΩ
• Qg: 24nC
• TF: 8ns
• Плюсы:
• Высокая скорость включения и выключения (низкое время перехода TF)
• Низкий коэффициент динамического сопротивления RDS(on)
• Высокий КПД в радиочастотных приложениях
• Стабильность характеристик при изменении температуры
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
• Требуют специальных условий охлаждения для высоких мощностей
• Общее назначение:
• Использование в радиочастотных устройствах, таких как радиоприемники и передатчики
• Применяются в системах управления мощностью и регулирования напряжения
• Используются в бытовой технике и электронике для улучшения энергоэффективности
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники и передатчики
• Устройства беспроводной связи
• Мощные источники питания
• Автомобильная электроника
• Бытовая техника с высокой степенью энергоэффективности