Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
TC8020K6-G
TC8020K6-G

TC8020K6-G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TC8020K6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFNВсе характеристики

Минимальная цена TC8020K6-G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TC8020K6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TC8020K6-G

  • Тип полевого транзистора
    6 N and 6 P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    56-VFQFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    56-QFN (8x8)
  • Base Product Number
    TC8020
Техническая документация
 TC8020K6-G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TC8020K6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFNВсе характеристики

Минимальная цена TC8020K6-G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TC8020K6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TC8020K6-G

  • Тип полевого транзистора
    6 N and 6 P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    56-VFQFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    56-QFN (8x8)
  • Base Product Number
    TC8020
Техническая документация
 TC8020K6-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTLJD2104PTAGТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
    71Кешбэк 10 баллов
    BSG0813NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
    543Кешбэк 81 балл
    DMG4822SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
    197Кешбэк 29 баллов
    DMC4029SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    220Кешбэк 33 балла
    ZXMN3G32DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
    240Кешбэк 36 баллов
    FDMA3023PZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
    240Кешбэк 36 баллов
    IRF7105TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
    203Кешбэк 30 баллов
    DMN601VK-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
    69Кешбэк 10 баллов
    BSS8402DWQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V/50V
    128Кешбэк 19 баллов
    SH8K5TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
    161Кешбэк 24 балла
    MCH6603-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    30Кешбэк 4 балла
    PMDPB30XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMD4820NR2GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
    259Кешбэк 38 баллов
    DMN53D0LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    56Кешбэк 8 баллов
    PMDPB70EN,115Транзистор: PMDPB70EN - SMALL SIGNAL, HUSON6
    47Кешбэк 7 баллов
    PMDT290UCE,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT666
    101Кешбэк 15 баллов
    DMG1024UV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
    101Кешбэк 15 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    728Кешбэк 109 баллов
    FDS6986ASТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
    94Кешбэк 14 баллов
    PMDPB58UPE,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
    109Кешбэк 16 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    190Кешбэк 28 баллов
    DMC1229UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    133Кешбэк 19 баллов
    EMH2407-TL-HMOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8
    47Кешбэк 7 баллов
    AON7934Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
    283Кешбэк 42 балла
    IRF7319TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    317Кешбэк 47 баллов
    AAT7347IAS-T1
    15Кешбэк 2 балла
    FDC6301NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
    113Кешбэк 16 баллов
    NTHD4102PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
    293Кешбэк 43 балла
    TC1550TG-GТранзистор: MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
    1 431Кешбэк 214 баллов
    DMC3021LSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
    182Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП