Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X
;
TK100E06N1,S1X

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TK100E06N1,S1X при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK100E06N1,S1X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK100E06N1,S1X

TK100E06N1, S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 100A TO-220

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS(on)): 60В
    • Размер тока (ID(on)): 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO-220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое энергетическое затратное состояние "открыто" (он)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство установки из-за стандартного пакета TO-220
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение требований к охлаждению при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью без дополнительных мера
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Коммутирующие цепи
    • Приводы двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Системы поддержания напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики TK100E06N1,S1X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10500 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    TK100E06

Техническая документация

TK100E06N1,S1X.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TK100E06N1,S1X при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK100E06N1,S1X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK100E06N1,S1X

TK100E06N1, S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 100A TO-220

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS(on)): 60В
    • Размер тока (ID(on)): 100А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO-220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое энергетическое затратное состояние "открыто" (он)
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство установки из-за стандартного пакета TO-220
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение требований к охлаждению при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью без дополнительных мера
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Коммутирующие цепи
    • Приводы двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Системы поддержания напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики TK100E06N1,S1X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10500 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    TK100E06

Техническая документация

TK100E06N1,S1X.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории