Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)
;
TK10A50D(STA4,Q,M)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK10A50D(STA4,Q,M)
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 10A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK10A50D(STA4,Q,M) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK10A50D(STA4,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET это около 4 В
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCE(max)): 500 В
    • Разрядная токовая способность (ID(on)): 10 А
    • Технология корпуса: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная токовая способность
    • Высокое напряжение вдоль канала
    • Устойчивость к перегреву благодаря технологии корпуса TO220SIS
    • Эффективность работы при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Крупный размер корпуса (TO220SIS), что может ограничить применение в компактных устройствах
    • Необходимо наличие дополнительного охлаждения для эффективной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и усилителях
    • Применение в источниках питания
    • Создание регулируемых напряжений
    • Работа в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения зданий
    • Сетевые адаптеры и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TK10A50D(STA4,Q,M)

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    720mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK10A50

Техническая документация

TK10A50D(STA4,Q,M).pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK10A50D(STA4,Q,M)
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 10A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK10A50D(STA4,Q,M) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK10A50D(STA4,Q,M) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET это около 4 В
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (VCE(max)): 500 В
    • Разрядная токовая способность (ID(on)): 10 А
    • Технология корпуса: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая разрядная токовая способность
    • Высокое напряжение вдоль канала
    • Устойчивость к перегреву благодаря технологии корпуса TO220SIS
    • Эффективность работы при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Крупный размер корпуса (TO220SIS), что может ограничить применение в компактных устройствах
    • Необходимо наличие дополнительного охлаждения для эффективной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях и усилителях
    • Применение в источниках питания
    • Создание регулируемых напряжений
    • Работа в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения зданий
    • Сетевые адаптеры и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики TK10A50D(STA4,Q,M)

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    720mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK10A50

Техническая документация

TK10A50D(STA4,Q,M).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории