Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TK155A65Z,S4X
  • В избранное
  • В сравнение
TK155A65Z,S4X

TK155A65Z,S4X

TK155A65Z,S4X
;
TK155A65Z,S4X

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK155A65Z,S4X
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 18A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK155A65Z,S4X при покупке от 1 шт 850.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK155A65Z,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK155A65Z,S4X

TK155A65Z, S4X Toshiba MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Размер тока: 18А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки
    • Высокий коэффициент мощности
    • Минимальная тепловая нагрузка при работе
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при больших нагрузках
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от ошибок работы
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Контроль мощности в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателей
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TK155A65Z,S4X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 730µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1635 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK155A65

Техническая документация

 TK155A65Z,S4X.pdf
pdf. 0 kb
  • 76 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    850 ₽
  • 10
    449 ₽
  • 100
    406 ₽
  • 500
    337 ₽
  • 1000
    322 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK155A65Z,S4X
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 18A TO220SISВсе характеристики

Минимальная цена TK155A65Z,S4X при покупке от 1 шт 850.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK155A65Z,S4X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK155A65Z,S4X

TK155A65Z, S4X Toshiba MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Размер тока: 18А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки
    • Высокий коэффициент мощности
    • Минимальная тепловая нагрузка при работе
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при больших нагрузках
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от ошибок работы
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Контроль мощности в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателей
    • Мощные источники питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TK155A65Z,S4X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 730µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1635 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK155A65

Техническая документация

 TK155A65Z,S4X.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPN3R704PL,L1QMOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
    213Кешбэк 31 балл
    TP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN
    930Кешбэк 139 баллов
    TP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
    519Кешбэк 77 баллов
    TP65H150G4PSТранзистор: GAN FET N-CH 650V TO-220
    1 341Кешбэк 201 балл
    TP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET
    1 756Кешбэк 263 балла
    TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88
    1 933Кешбэк 289 баллов
    TP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET
    6 180Кешбэк 927 баллов
    TP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET
    2 657Кешбэк 398 баллов
    TP65H050WSQAGANFET N-CH 650V 36A TO247-3
    3 650Кешбэк 547 баллов
    TP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET
    3 685Кешбэк 552 балла
    TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
    3 492Кешбэк 523 балла
    VS-FC420SA15MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
    4 869Кешбэк 730 баллов
    VS-FC270SA20MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
    5 000Кешбэк 750 баллов
    UJ3C065080B3MOSFET N-CH 650V 25A TO263
    1 616Кешбэк 242 балла
    GP2T080A120USIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
    1 326Кешбэк 198 баллов
    GCMS080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
    4 103Кешбэк 615 баллов
    GCMX080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
    3 733Кешбэк 559 баллов
    MCH6627-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    25.7Кешбэк 3 балла
    MCH6424-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    5HN01M-TL-E-SAMOSFET N-CH 50V 100MA MCP
    22Кешбэк 3 балла
    5HN02NN-CHANNEL SILICON MOSFET
    27.6Кешбэк 4 балла
    2SJ589LSPOWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    245Кешбэк 36 баллов
    2SB817DP-CHANNEL, MOSFET
    351Кешбэк 52 балла
    2SK669N-CHANNEL MOSFET
    51Кешбэк 7 баллов
    FW905-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов
    NTD4906NT4HN-CHANNEL POWER MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    2SJ254P-CHANNEL POWER MOSFET
    245Кешбэк 36 баллов
    MCH6336-TL-EMOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6
    46Кешбэк 6 баллов
    CPH3439-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП