Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TK20G60W,RVQ

TK20G60W,RVQ

TK20G60W,RVQ
;
TK20G60W,RVQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TK20G60W,RVQ при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK20G60W,RVQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK20G60W,RVQ

TK20G60W, RVQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток дrain-source в отключенном состоянии
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство установки благодаря стандартному разъему D2PAK
  • Минусы:
    • Сложнее в термодизайне из-за потенциального увеличения теплового сопротивления
    • Необходимо дополнительное радиаторное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в блоках преобразования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Источники питания для компьютеров и периферии
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование (машинно-электрические комплексы)
Выбрано: Показать

Характеристики TK20G60W,RVQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1680 pF @ 300 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    165W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    TK20G60

Техническая документация

TK20G60W,RVQ.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TK20G60W,RVQ при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK20G60W,RVQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK20G60W,RVQ

TK20G60W, RVQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток дrain-source в отключенном состоянии
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство установки благодаря стандартному разъему D2PAK
  • Минусы:
    • Сложнее в термодизайне из-за потенциального увеличения теплового сопротивления
    • Необходимо дополнительное радиаторное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в блоках преобразования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
    • Источники питания для компьютеров и периферии
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование (машинно-электрические комплексы)
Выбрано: Показать

Характеристики TK20G60W,RVQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1680 pF @ 300 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    165W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    TK20G60

Техническая документация

TK20G60W,RVQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории