TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5, LVQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS(on)): 600В
• Номинальный ток (I_D(on)): 30.8А
• Пакет: 4DFN
• Тип: N-канальный MOSFET
• Плюсы:
• Высокое напряжения сопротивления (V_DS(on)) позволяет использовать его в широком диапазоне приложений
• Высокий ток пропускания (I_D(on)) обеспечивает эффективную работу в высоковольтных системах
• Малый размер пакета (4DFN) позволяет сэкономить место на печатной плате
• Низкий коэффициент динамической резисторности (R_D(on)) обеспечивает более низкую потери энергии
• Минусы:
• При выборе MOSFET необходимо учитывать температурные ограничения и обеспечить эффективное охлаждение
• В некоторых приложениях может потребоваться дополнительная защита от импульсных перенапряжений
• Общее назначение:
• Использование в силовых преобразователях
• Применение в источниках питания
• Работа в системах управления двигателей
• Использование в схемах регулирования напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Смартфоны и планшеты
• Компьютеры и ноутбуки
• Автомобильные системы
• Инверторы для домашнего использования
• Промышленное оборудование