Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TK34E10N1,S1X при покупке от 1 шт 414 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK34E10N1,S1X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK34E10N1,S1X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2600 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    103W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    TK34E10
Техническая документация
TK34E10N1,S1X.pdf
pdf. 0 kb
  • 23 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    414 ₽
  • 50
    266 ₽
  • 100
    212 ₽
  • 500
    162 ₽
  • 2000
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена TK34E10N1,S1X при покупке от 1 шт 414 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK34E10N1,S1X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK34E10N1,S1X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2600 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    103W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    TK34E10
Техническая документация
TK34E10N1,S1X.pdf
pdf. 0 kb