Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TK35A65W,S5X

TK35A65W,S5X

TK35A65W,S5X
;
TK35A65W,S5X

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TK35A65W,S5X при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK35A65W,S5X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK35A65W,S5X

TK35A65W, S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IN): 35A
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 650В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
    • Управление электрическими нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Питание и регулировка мощности в бытовой технике
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики TK35A65W,S5X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 17.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 2.1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4100 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK35A65

Техническая документация

TK35A65W,S5X.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TK35A65W,S5X при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK35A65W,S5X с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK35A65W,S5X

TK35A65W, S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IN): 35A
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 650В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220SIS
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
    • Управление электрическими нагрузками
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Питание и регулировка мощности в бытовой технике
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики TK35A65W,S5X

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 17.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 2.1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4100 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220SIS
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    TK35A65

Техническая документация

TK35A65W,S5X.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории