Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TK560P65Y,RQ
TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK560P65Y,RQ
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена TK560P65Y,RQ при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK560P65Y,RQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK560P65Y,RQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    560mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 240µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    380 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    TK560P65
Техническая документация
 TK560P65Y,RQ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3400 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    248 ₽
  • 10
    193 ₽
  • 100
    137 ₽
  • 2000
    115 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK560P65Y,RQ
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена TK560P65Y,RQ при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK560P65Y,RQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TK560P65Y,RQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    560mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 240µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    380 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    TK560P65
Техническая документация
 TK560P65Y,RQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTTFS015P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
    199Кешбэк 29 баллов
    HUFA76609D3ST_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    51Кешбэк 7 баллов
    STP33N60M6MOSFET N-CH 600V 25A TO220
    824Кешбэк 123 балла
    DMNH6012LK3Q-13MOSFET N-CH 60V 80A TO252
    224Кешбэк 33 балла
    IPB90N06S404ATMA2MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
    598Кешбэк 89 баллов
    NTMTS0D6N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 554.5A
    754Кешбэк 113 баллов
    IPB019N08NF2SATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
    702Кешбэк 105 баллов
    2SJ598-ZK-E1-AZMP-3ZK
    229Кешбэк 34 балла
    DMT4004LPS-13MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
    277Кешбэк 41 балл
    NVBLS1D7N08HMOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
    782Кешбэк 117 баллов
    IPN50R800CEATMA1MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
    159Кешбэк 23 балла
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    405Кешбэк 60 баллов
    SI4850BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
    182Кешбэк 27 баллов
    UPA2723T1A-E2-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    437Кешбэк 65 баллов
    SISH617DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    IPL60R185CFD7AUMA1MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
    556Кешбэк 83 балла
    FCH165N65S3R0-F155MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
    1 157Кешбэк 173 балла
    SQW61N65EF-GE3MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
    2 345Кешбэк 351 балл
    R6030KNXMOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
    849Кешбэк 127 баллов
    NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
    452Кешбэк 67 баллов
    NTMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    259Кешбэк 38 баллов
    IPD80R2K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
    184Кешбэк 27 баллов
    IPT60R150G7XTMA1MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
    716Кешбэк 107 баллов
    IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 071Кешбэк 160 баллов
    HUF76437P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    337Кешбэк 50 баллов
    NTMT190N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 122Кешбэк 168 баллов
    APT8056BVRGMOSFET N-CH 800V 16A TO247
    2 885Кешбэк 432 балла
    PJQ4401P-AU_R2_000A130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    193Кешбэк 28 баллов
    IPP60R125C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    946Кешбэк 141 балл
    SSM3K7002KFU,LFMOSFET N-CH 60V 400MA USM
    31Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП