Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TK5R1P08QM,RQ
  • В избранное
  • В сравнение
TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM,RQ
;
TK5R1P08QM,RQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK5R1P08QM,RQ
  • Описание:
    UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHMВсе характеристики

Минимальная цена TK5R1P08QM,RQ при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK5R1P08QM,RQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM, RQ Toshiba Semiconductor and Storage UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM

  • Основные параметры:
    • Тип: UMOS10 (нормально закрытый полупроводниковый транзистор)
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Резистивность: 5.1МΩ
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к воздействию дамагирующих частиц (DPAK)
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление может вызывать дополнительное энергопотребление
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени переключения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
    • Питание цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики TK5R1P08QM,RQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1mOhm @ 42A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 700µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    104W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 TK5R1P08QM,RQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 10016 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    361 ₽
  • 10
    251 ₽
  • 100
    190 ₽
  • 500
    152 ₽
  • 2500
    121 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TK5R1P08QM,RQ
  • Описание:
    UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHMВсе характеристики

Минимальная цена TK5R1P08QM,RQ при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK5R1P08QM,RQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM, RQ Toshiba Semiconductor and Storage UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM

  • Основные параметры:
    • Тип: UMOS10 (нормально закрытый полупроводниковый транзистор)
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Резистивность: 5.1МΩ
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к воздействию дамагирующих частиц (DPAK)
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление может вызывать дополнительное энергопотребление
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленного времени переключения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
    • Питание цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики TK5R1P08QM,RQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1mOhm @ 42A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 700µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    104W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 TK5R1P08QM,RQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ5443_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    207Кешбэк 31 балл
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    PJD15P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    106Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    202Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    PJW5P06A-AU_R2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    187Кешбэк 28 баллов
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    141Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    220Кешбэк 33 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    137Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    196Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    293Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJQ5465A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    180Кешбэк 27 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    148Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    100Кешбэк 15 баллов
    PJQ5423_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    206Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП