Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Тиристоры - SCR
TN2010H-6G
  • В избранное
  • В сравнение
TN2010H-6G

TN2010H-6G

TN2010H-6G
;
TN2010H-6G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    TN2010H-6G
  • Описание:
    SCR 600MV 20A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена TN2010H-6G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN2010H-6G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TN2010H-6G

  • Обратное напряжение
    600 mV
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1.3 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    10 mA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.6 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    12.7 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    20 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    40 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    5 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    197A, 180A
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK
  • Base Product Number
    TN2010

Техническая документация

 TN2010H-6G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    TN2010H-6G
  • Описание:
    SCR 600MV 20A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена TN2010H-6G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN2010H-6G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TN2010H-6G

  • Обратное напряжение
    600 mV
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1.3 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    10 mA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.6 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    12.7 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    20 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    40 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    5 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    197A, 180A
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK
  • Base Product Number
    TN2010

Техническая документация

 TN2010H-6G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SJ6010V1TPSCR 600V 10A TO251
    158Кешбэк 23 балла
    S6010RS2TPSCR 600V 10A TO220AB
    402Кешбэк 60 баллов
    SJ6012N1RPSCR 600V 12A TO263
    514Кешбэк 77 баллов
    SJ6012NRPSCR 600V 12A TO263
    514Кешбэк 77 баллов
    SJ6016NRPSCR 600V 16A TO263
    549Кешбэк 82 балла
    SJ6025NRPSCR 600V 25A TO263
    664Кешбэк 99 баллов
    SV6012N2RPSCR 12A 600V HI TEMP TO263
    191Кешбэк 28 баллов
    SV6016N2RPSCR 16A 600V HI TEMP TO263
    207Кешбэк 31 балл
    SV6016N1RPSCR 16A 600V HI TEMP TO263
    207Кешбэк 31 балл
    SV6020N1RPSCR 20A 600V HI TEMP TO263
    259Кешбэк 38 баллов
    SV6025N1RPSCR 25A 600V HI TEMP TO263
    286Кешбэк 42 балла
    SJ6016N2RPSCR 600V 16A TO263
    549Кешбэк 82 балла
    SJ6025N2RPSCR 600V 25A TO263
    659Кешбэк 98 баллов
    SJ6020N2RPSCR 600V 20A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    SV6025N2RPSCR 25A 600V HI TEMP TO263
    259Кешбэк 38 баллов
    SJ6020NRPSCR 600V 20A TO263
    778Кешбэк 116 баллов
    SV6020N2RPSCR 20A 600V HI TEMP TO263
    299Кешбэк 44 балла
    SJ6004VS2TPSCR 600V 4A TO251
    463Кешбэк 69 баллов
    S8016NARPSCR 800V 25A TO263
    747Кешбэк 112 баллов
    S6015L52TPТиристор: SCR 600V 15A ITO220AB
    602Кешбэк 90 баллов
    SK015LTPSCR 1KV 15A ITO220AB
    487Кешбэк 73 балла
    S6008LS3TPSCR 600V 8A ITO220AB
    578Кешбэк 86 баллов
    SV6016D1TPSCR 16A 600V HI TEMP TO-252
    277Кешбэк 41 балл
    S6X8BS2RPSCR 600V 800MA SOT89
    230Кешбэк 34 балла
    SK012RTPSCR 1KV 12A TO220AB
    595Кешбэк 89 баллов
    SJ6025L2TPSCR 600V 25A ITO220AB
    789Кешбэк 118 баллов
    SJ6016N1RPSCR 600V 16A TO263
    630Кешбэк 94 балла
    SJ6008DS2RPSCR 600V 8A TO252
    611Кешбэк 91 балл
    SJ6016L1TPSCR 600V 16A ITO220AB
    574Кешбэк 86 баллов
    S8015LTPТиристор: SCR 800V 15A TO220 ISO
    693Кешбэк 103 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП