Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Тиристоры - SCR

TN2010H-6G-TR

TN2010H-6G-TR

TN2010H-6G-TR

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
STMicroelectronics
Артикул:
TN2010H-6G-TR
Описание:
SCR 600V 20A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена TN2010H-6G-TR при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN2010H-6G-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TN2010H-6G-TR

Package
Cut Tape (CT)
Package Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Package Digi-Reel®
Обратное напряжение
600 V
Обратное напряжение 600 V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
1.3 V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс) 1.3 V
Отпирающий ток управления (Igt)
10 mA
Отпирающий ток управления (Igt) 10 mA
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
1.6 V
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс) 1.6 V
Средняя величина прямого тока (It (AV))
12.7 A
Средняя величина прямого тока (It (AV)) 12.7 A
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
20 A
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS)) 20 A
Максимальный ток удержания (Ih)
40 mA
Максимальный ток удержания (Ih) 40 mA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
5 µA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс) 5 µA
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
197A, 180A
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm) 197A, 180A
Тип Тиристора
Sensitive Gate
Тип Тиристора Sensitive Gate
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Вид монтажа Surface Mount
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса
D²PAK
Исполнение корпуса D²PAK
Base Product Number
TN2010
Base Product Number TN2010

Техническая документация

TN2010H-6G-TR.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

3278 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
317 ₽
10
201 ₽
100
134 ₽
1000
97 ₽
3000
85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

В избранное
В сравнение

Производитель:
STMicroelectronics
Артикул:
TN2010H-6G-TR
Описание:
SCR 600V 20A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена TN2010H-6G-TR при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN2010H-6G-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TN2010H-6G-TR

Package
Cut Tape (CT)
Package Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Package Digi-Reel®
Обратное напряжение
600 V
Обратное напряжение 600 V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
1.3 V
Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс) 1.3 V
Отпирающий ток управления (Igt)
10 mA
Отпирающий ток управления (Igt) 10 mA
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
1.6 V
Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс) 1.6 V
Средняя величина прямого тока (It (AV))
12.7 A
Средняя величина прямого тока (It (AV)) 12.7 A
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
20 A
Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS)) 20 A
Максимальный ток удержания (Ih)
40 mA
Максимальный ток удержания (Ih) 40 mA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
5 µA
Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс) 5 µA
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
197A, 180A
Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm) 197A, 180A
Тип Тиристора
Sensitive Gate
Тип Тиристора Sensitive Gate
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Вид монтажа Surface Mount
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса
D²PAK
Исполнение корпуса D²PAK
Base Product Number
TN2010
Base Product Number TN2010

Техническая документация

TN2010H-6G-TR.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SJ6012NRP SCR 600V 12A TO263

BT151-650LTNQ SCR 650V 12A TO220AB

NTE314 SCR 400V 12.5A TO3

TYN16X-600CTNQ SCR TO220-3

S8X5ECS2RP SCR SEN 800V 0.5A TO-92WB

SCT1675CS SCR 1.6KV 75A TO247S

2N1775 TO64 8 AMP SCR

TN2010H-6G-TR SCR 600V 20A D2PAK

CLB30I1200PZ-TUB SCR 1.2KV 47A TO263

CLA5E1200UC-TRL SCR 1.2KV 7.8A TO252AA

SV6012N1TP SCR 12A 600V HI TEMP TO263

SJ6006DRP SCR 600V 6A TO252

SJ6010V1TP SCR 600V 10A TO251

SJ6016N1RP SCR 600V 16A TO263

SCT655Z SCR 600V 55A TO3P

MCR100-8 THYRISTOR SOT23 T&R 3K

CLA100E1200HB SCR 1.2KV 160A TO247

VS-12TTS08HM3 SCR 800V 12.5A TO220AB

CS19-12HO1S-TUB SCR 1200V 31A TO263

5P4SMA(YK)-AZ SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Биполярные транзисторы - Сборки

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Принадлежности

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - IGBT - одиночные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные полевые транзисторы

Высокочастотные диоды

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Драйверы питания - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды - выпрямители - одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - Модули

Тиристоры - TRIACs

IGBT транзисторы

Симисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Полевые транзисторы - Сборки

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Триодные тиристоры - Одиночные

Диодные мосты

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы

Диоды - ВЧ

Транзисторы - JFET

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Симисторы - Модули

Диоды силовые

Диодные мосты - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Тиристоры - SCR - модули

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Полевые транзисторы - Одиночные

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали