Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TN5325N3-G-P002
  • В избранное
  • В сравнение
TN5325N3-G-P002

TN5325N3-G-P002

TN5325N3-G-P002
;
TN5325N3-G-P002

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TN5325N3-G-P002
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена TN5325N3-G-P002 при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN5325N3-G-P002 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TN5325N3-G-P002

Технические характеристики:

  • Марка: TN5325N3-G-P002
  • Производитель: Microchip Technology
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 250В
  • Размер токового тока (IDS(on)): 215мА
  • Пакет: TO92-3

Основные плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Удобство установки из-за компактного размера пакета TO92-3
  • Низкий сопротивление канала

Основные минусы:

  • Небольшой ток прямого тока, что ограничивает область применения
  • Низкое значение номинального напряжения блокировки

Общее назначение:

  • Контролирование электрических цепей
  • Переключение низковольтных сигналов
  • Защита электронных схем от перенапряжений

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления двигателем
  • Блоки питания
  • Игровые консоли
  • Периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TN5325N3-G-P002

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    215mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    740mW (Ta)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    TN5325

Техническая документация

 TN5325N3-G-P002.pdf
pdf. 0 kb
  • 1749 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    159 ₽
  • 25
    133 ₽
  • 100
    119 ₽
  • 2000
    119 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TN5325N3-G-P002
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена TN5325N3-G-P002 при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN5325N3-G-P002 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TN5325N3-G-P002

Технические характеристики:

  • Марка: TN5325N3-G-P002
  • Производитель: Microchip Technology
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 250В
  • Размер токового тока (IDS(on)): 215мА
  • Пакет: TO92-3

Основные плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Удобство установки из-за компактного размера пакета TO92-3
  • Низкий сопротивление канала

Основные минусы:

  • Небольшой ток прямого тока, что ограничивает область применения
  • Низкое значение номинального напряжения блокировки

Общее назначение:

  • Контролирование электрических цепей
  • Переключение низковольтных сигналов
  • Защита электронных схем от перенапряжений

Применение в устройствах:

  • Микросхемы управления двигателем
  • Блоки питания
  • Игровые консоли
  • Периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TN5325N3-G-P002

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    215mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    740mW (Ta)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    TN5325

Техническая документация

 TN5325N3-G-P002.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTD4969NT4GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    NTMFS4925NT1GMOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
    35Кешбэк 5 баллов
    CPH3340-TL-EMOSFET P-CH 20V 5A 3CPH
    67Кешбэк 10 баллов
    CPH3456-TL-WMOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
    35Кешбэк 5 баллов
    NTLUS4930NTAGMOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NVR4003NT3GMOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
    67Кешбэк 10 баллов
    NTTFS4823NTWGMOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
    59Кешбэк 8 баллов
    NTLUS3C18PZTBGMOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
    65Кешбэк 9 баллов
    NTP5426NGMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    278Кешбэк 41 балл
    NTD4904NT4GMOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAK
    104Кешбэк 15 баллов
    NTD85N02R-001MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
    41Кешбэк 6 баллов
    NTTFS4939NTAGMOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
    59Кешбэк 8 баллов
    FDMS8018Транзистор: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
    295Кешбэк 44 балла
    FDMS7558SMOSFET N-CH 25V 32A/49A 8PQFN
    302Кешбэк 45 баллов
    BFL4004-1EMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220F-3FS
    252Кешбэк 37 баллов
    NTMFS5C673NLT1GMOSFET N-CH 60V 5DFN
    89Кешбэк 13 баллов
    FDC3512MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
    219Кешбэк 32 балла
    NTLUS4930NTBGMOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTD4970N-35GMOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
    100Кешбэк 15 баллов
    NTLJS1102PTAGMOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
    56Кешбэк 8 баллов
    SSN1N45BTAMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    239Кешбэк 35 баллов
    FCPF400N80ZL1MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    243Кешбэк 36 баллов
    2N7002LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    39Кешбэк 5 баллов
    FDMC8588DCPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    198Кешбэк 29 баллов
    NTD70N03RT4Транзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA8440Транзистор: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
    910Кешбэк 136 баллов
    NTD50N03R-35GMOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
    22.2Кешбэк 3 балла
    NTD4302GMOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
    126Кешбэк 18 баллов
    NTLUS3192PZTBGMOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
    65Кешбэк 9 баллов
    SCH1435-TL-HSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    37Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП