Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TP0620N3-G
TP0620N3-G

TP0620N3-G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TP0620N3-G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена TP0620N3-G при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TP0620N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TP0620N3-G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    175mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12Ohm @ 200mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    TP0620
Техническая документация
 TP0620N3-G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 703 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    357 ₽
  • 25
    295 ₽
  • 100
    270 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    TP0620N3-G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена TP0620N3-G при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TP0620N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TP0620N3-G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    175mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12Ohm @ 200mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    TP0620
Техническая документация
 TP0620N3-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PSMN1R4-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    210Кешбэк 31 балл
    BUZ73AMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
    99Кешбэк 14 баллов
    IRFD320PBFMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
    482Кешбэк 72 балла
    NTLJS3A18PZTXGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    99Кешбэк 14 баллов
    IXFH150N17T2MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
    1 825Кешбэк 273 балла
    IPP60R099P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
    916Кешбэк 137 баллов
    HUFA76633P3MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
    319Кешбэк 47 баллов
    PMPB20XNEAZMOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
    92Кешбэк 13 баллов
    C2M0040120DSICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    9 913Кешбэк 1 486 баллов
    NVGS5120PT1GMOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
    163Кешбэк 24 балла
    TK16N60W,S1VFMOSFET N CH 600V 15.8A TO247
    1 036Кешбэк 155 баллов
    IXFT18N100Q3MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
    3 541Кешбэк 531 балл
    FQPF4N90CTMOSFET N-CH 900V 4A TO220F
    199Кешбэк 29 баллов
    FDMS8888MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
    84Кешбэк 12 баллов
    NTD60N03T4MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
    58Кешбэк 8 баллов
    BUK7Y12-55B,115MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
    291Кешбэк 43 балла
    FDS8884MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
    98Кешбэк 14 баллов
    DMTH4007SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
    342Кешбэк 51 балл
    STF24N65M2Транзистор: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
    484Кешбэк 72 балла
    IRFZ24SPBFMOSFET N-CH 60V 17A TO263
    434Кешбэк 65 баллов
    FQB55N06TMMOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    218Кешбэк 32 балла
    FDS3170N7MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
    387Кешбэк 58 баллов
    NTK3139PT1GMOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
    88Кешбэк 13 баллов
    IPP80N06S2L06AKSA2MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    218Кешбэк 32 балла
    SCT2H12NZGC11Транзистор: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
    1 294Кешбэк 194 балла
    SIR464DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    293Кешбэк 43 балла
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    229Кешбэк 34 балла
    STP33N60M2MOSFET N-CH 600V 26A TO220
    881Кешбэк 132 балла
    TK40E06N1,S1XMOSFET N-CH 60V 40A TO220
    302Кешбэк 45 баллов
    SI2306BDS-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП