TP65H015G5WS

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

,
• , .
  • Основные параметры:
  • Номинальное напряжение (V): 650 В
  • Номинальный ток (A): 95 А
  • Тип: GAN FET (Гетероструктурный анодный накопитель)
  • Плюсы:
  • Высокая эффективность работы
  • Малое тепловыделение
  • Высокая скорость переключения
  • Долгий срок службы
  • Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-модулями
  • Требуют более сложной системы охлаждения
  • Общее назначение:
  • Используется в высоковольтных приложениях
  • Подходит для трансформаторов и инверторов
  • Пригоден для использования в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания
  • Системы энергоснабжения зданий
  • Промышленные преобразователи
  • Инверторы для солнечных панелей