Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TP65H035G4WSQA
  • В избранное
  • В сравнение
TP65H035G4WSQA

TP65H035G4WSQA

TP65H035G4WSQA
;
TP65H035G4WSQA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Transphorm
  • Артикул:
    TP65H035G4WSQA
  • Описание:
    650 V 46.5 GAN FETВсе характеристики

Минимальная цена TP65H035G4WSQA при покупке от 1 шт 3685.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TP65H035G4WSQA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TP65H035G4WSQA

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 650 В
      • Ганстериан (GaN) FET: 46.5 ГАН
      • Производитель: Transphorm
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность
      • Малый размер и масса
      • Высокая частота работы
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость
      • Требуется специальное оборудование для монтажа
      • Нужны дополнительные меры по охлаждению
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных преобразователях питания
      • В инверторах для солнечных панелей
      • В системах хранения энергии
      • В автомобильных системах питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Смартфоны и ноутбуки
      • Автомобили с электрическими двигателями
      • Системы управления энергией в домах
      • Промышленные системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики TP65H035G4WSQA

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    187W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 TP65H035G4WSQA.pdf
pdf. 0 kb
  • 152 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 685 ₽
  • 10
    2 330 ₽
  • 120
    2 326 ₽
  • 510
    2 093 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Transphorm
  • Артикул:
    TP65H035G4WSQA
  • Описание:
    650 V 46.5 GAN FETВсе характеристики

Минимальная цена TP65H035G4WSQA при покупке от 1 шт 3685.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TP65H035G4WSQA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TP65H035G4WSQA

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 650 В
      • Ганстериан (GaN) FET: 46.5 ГАН
      • Производитель: Transphorm
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность
      • Малый размер и масса
      • Высокая частота работы
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость
      • Требуется специальное оборудование для монтажа
      • Нужны дополнительные меры по охлаждению
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных преобразователях питания
      • В инверторах для солнечных панелей
      • В системах хранения энергии
      • В автомобильных системах питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Смартфоны и ноутбуки
      • Автомобили с электрическими двигателями
      • Системы управления энергией в домах
      • Промышленные системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики TP65H035G4WSQA

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    187W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 TP65H035G4WSQA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    5 110Кешбэк 766 баллов
    NTHL033N65S3HFMOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
    2 451Кешбэк 367 баллов
    NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
    2 539Кешбэк 380 баллов
    NVTFS5C471NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
    171Кешбэк 25 баллов
    NTHL040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
    3 087Кешбэк 463 балла
    NTHL120N60S5ZMOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
    1 284Кешбэк 192 балла
    NTH4L080N120SC1SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
    1 938Кешбэк 290 баллов
    NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247
    5 327Кешбэк 799 баллов
    NTMFS4D2N10MDT1GN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    522Кешбэк 78 баллов
    FCH077N65F-F155MOSFET N-CH 650V 54A TO247
    2 028Кешбэк 304 балла
    NTLJS3D0N02P8ZTAGMOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
    252Кешбэк 37 баллов
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    914Кешбэк 137 баллов
    NVH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
    3 450Кешбэк 517 баллов
    NVBG020N120SC1MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
    8 977Кешбэк 1 346 баллов
    NTP7D3N15MCMOSFET N-CH 150V 12.1/101A TO220
    638Кешбэк 95 баллов
    UJ3C065080K3SMOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
    2 078Кешбэк 311 баллов
    FDI045N10A-F102MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
    976Кешбэк 146 баллов
    NVHL040N65S3SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO
    2 315Кешбэк 347 баллов
    NTHL095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    999Кешбэк 149 баллов
    NTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    4 948Кешбэк 742 балла
    NTHL099N60S5NTHL099N60S5
    1 118Кешбэк 167 баллов
    NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    2 979Кешбэк 446 баллов
    NTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    1 645Кешбэк 246 баллов
    UF3C120080K4SSICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
    3 095Кешбэк 464 балла
    NTMFS6H801NT1GMOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
    565Кешбэк 84 балла
    NVH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
    1 464Кешбэк 219 баллов
    UF4C120053K4S1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
    3 167Кешбэк 475 баллов
    NVMFS5C404NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    1 633Кешбэк 244 балла
    FDMC8010DCMOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
    338Кешбэк 50 баллов
    FDP150N10A-F102MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
    616Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП