TP65H050G4WS

TP65H050G4WS от Transphorm — это ганстерафон (GAN FET) с характеристиками:

• Номинальное напряжение: 650 В
• Рейтингная токовая способность: 34 А
• Тип устройства: GAN FET (Генератор Анти-Нейтрона Фет)

Плюсы:

• Высокая эффективность: благодаря использованию GAN технологий, устройство имеет высокую квантовую эффективность.
• Малый размер: благодаря использованию новых материалов и конструкции, устройство занимает меньше места.
• Низкий уровень шума: благодаря своей структуре, устройство генерирует меньше радиационного шума.
• Высокая надежность: использование новых материалов и технологий обеспечивает долговечность и стабильность работы.

Минусы:

• Высокая стоимость: новые технологии часто повышают стоимость производства.
• Требуются специальные знания для работы: использование таких устройств требует специализированного обучения и опыта.
• Ограниченный выбор компонентов: из-за относительно новой технологии, доступ к необходимым компонентам может быть ограничен.

Общее назначение и применение:

• Передовые системы управления энергоснабжением: такие как инверторы, преобразователи напряжения, умные розетки.
• Системы электропитания для мобильных устройств: например, зарядные устройства для электромобилей.
• Энергоэффективные решения: такие как системы управления освещением и климат-контролем.