Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TPH1R306P1,L1Q
  • В избранное
  • В сравнение
TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q
;
TPH1R306P1,L1Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TPH1R306P1,L1Q
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена TPH1R306P1,L1Q при покупке от 1 шт 508.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH1R306P1,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q Toshiba MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток (ID): 100А
    • Количество пакетов: 8SOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малое количество тепла при работе
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует более сложного проектирования системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах управления
    • Применяется в промышленной электронике для управления мощными нагрузками
    • Используется в автомобильной электронике для управления двигателем и аккумуляторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные инверторы и преобразователи
    • Системы питания и управления в промышленных устройствах
    • Электроприводы и системы управления им
Выбрано: Показать

Характеристики TPH1R306P1,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.28mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    91 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8100 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH1R306

Техническая документация

 TPH1R306P1,L1Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 25255 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    508 ₽
  • 10
    372 ₽
  • 100
    267 ₽
  • 500
    228 ₽
  • 1000
    211 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TPH1R306P1,L1Q
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена TPH1R306P1,L1Q при покупке от 1 шт 508.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH1R306P1,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q Toshiba MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток (ID): 100А
    • Количество пакетов: 8SOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малое количество тепла при работе
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует более сложного проектирования системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах управления
    • Применяется в промышленной электронике для управления мощными нагрузками
    • Используется в автомобильной электронике для управления двигателем и аккумуляторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные инверторы и преобразователи
    • Системы питания и управления в промышленных устройствах
    • Электроприводы и системы управления им
Выбрано: Показать

Характеристики TPH1R306P1,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.28mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    91 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8100 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH1R306

Техническая документация

 TPH1R306P1,L1Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RE1L002SNTLMOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
    56Кешбэк 8 баллов
    IXTA44P15T-TRLMOSFET P-CH 150V 44A TO263
    1 315Кешбэк 197 баллов
    RD3L150SNFRATLMOSFET N-CH 60V 15A TO252
    319Кешбэк 47 баллов
    SIRS700DP-T1-GE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
    685Кешбэк 102 балла
    SQ2315ES-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
    150Кешбэк 22 балла
    NVTFS015N04CTAGMOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
    195Кешбэк 29 баллов
    NVMFS5C645NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
    678Кешбэк 101 балл
    NX138AKHHNX138AKH/SOT8001/DFN0606-3
    43Кешбэк 6 баллов
    RJK6012DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    610Кешбэк 91 балл
    SCTH35N65G2V-7SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
    2 420Кешбэк 363 балла
    IXTA94N20X4MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
    2 277Кешбэк 341 балл
    DMT32M5LFG-13MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
    315Кешбэк 47 баллов
    IPW65R075CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
    1 360Кешбэк 204 балла
    DMN6075SQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
    105Кешбэк 15 баллов
    IPB054N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
    471Кешбэк 70 баллов
    NVTFS5C454NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    BUK7M8R5-40HXMOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
    226Кешбэк 33 балла
    IPBE65R230CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
    693Кешбэк 103 балла
    IPSA70R360P7SAKMA1Транзистор: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
    126Кешбэк 18 баллов
    SUD50P08-25L-BE3MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
    624Кешбэк 93 балла
    NVMFS5C646NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
    530Кешбэк 79 баллов
    NTMFS024N06CT1GMOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
    148Кешбэк 22 балла
    IPS70R1K4CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
    146Кешбэк 21 балл
    IAUA250N04S6N007AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    836Кешбэк 125 баллов
    NVBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 519Кешбэк 227 баллов
    NTMFS016N06CT1GMOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
    159Кешбэк 23 балла
    IPB60R125CPATMA1MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
    1 100Кешбэк 165 баллов
    IPB010N06NATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
    943Кешбэк 141 балл
    FQP3N50CN-CHANNEL POWER MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    NTMFS6H801NLT1GMOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
    498Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП